[发明专利]一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法

权利要求书

1.一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法，其特征在于该流程与方法的控制步骤为：

步骤一，首先对抛光后的厚度不良单抛晶片表面进行图形测绘。

步骤二，通过测绘分析得出蓝宝石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑点)不符合要求的区域。

步骤三，根据对蓝宝石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑点)数值的分析结合降低成品晶片报废率及提升晶片返工最大利用率原则对抛光机台晶片载盘、抛光垫、机台盘面、抛光液进行改良。

步骤四，用调整后的抛光方法对蓝宝石单抛片进行返抛，测量抛光后蓝宝石晶片表面的厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)。

2.根据权利要求1所述的晶片表面进行图形测绘，其采用的检测设备可以是FRT、FT-17、AOI,扫描的方式可以单点、多点、单线、多线、2D、3D。

3.根据权利要求1所述的晶片载盘可以是陶瓷盘、树脂盘、碳化硼盘、碳化硅盘、铁盘等。

4.根据权利要求1所述的抛光垫材质可以是无纺布、尼龙布、绒布、聚氨酯、橡胶、高分子复合型等。

5.根据权利要求1所述的机台盘面材质可以是铸铁研磨盘、树脂铜研磨盘、纯铜研磨盘、金刚石研磨盘。

6.根据权利要求1所述的机台盘面面型可以是凹面、凸面、环形凹凸面。

7.根据权利要求1所述的机台抛光液可以是碳化硅,碳化硼,氧化硅，氧化铝等，使用砂粒号数介于#50～#800之间。

8.据权利要求1所述的蓝宝石单面抛光片，包括但不限于2～12寸衬底片，外型可为圆、方片等不同外型的衬底片。

9.据权利要求1所述的蓝宝石蓝宝石单面抛光片，可包括但不限于碳化硅、氮化镓单晶衬底片及单晶上生长外延层后的衬底片。