[发明专利]读取电阻式存储器件的方法

说明书

本发明公开了一种读取电阻式存储器件的方法。在根据一个实施例的一种读取电阻式存储器件的方法中，准备包括选择元件和可变电阻元件的存储单元。选择元件在针对存储单元的电流‑电压扫描曲线上表现出骤回行为。在选择元件维持导通状态的电压范围之内确定要施加给存储单元的第一读取电压和第二读取电压。第二读取电压的大小小于第一读取电压的大小，以及第二读取电压在选择元件表现出骤回行为的电压范围内选择。施加第一读取电压给存储单元以测量第一单元电流。施加第二读取电压给存储单元以测量第二单元电流。基于第一单元电流和第二单元电流来确定储存在存储单元中的电阻状态。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年2月8日提交的编号为10-2018-00158587的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体而言涉及一种电阻式存储器件，更具体地，涉及一种读取储存在电阻式存储器件中的数据的方法。

背景技术

一般而言，电阻式存储器件为如下器件：在位于存储单元中的非易失性存储材料层中引起电阻变化以及根据电阻状态来储存不同的数据的器件。电阻式存储器件可以包括电阻式随机存取存储(RAM)器件、相变RAM器件、磁性RAM器件等。

近来，为了实现存储器件的高度集成，诸如交叉点阵列结构的三维单元结构已经作为电阻式存储器件的单元结构而被提出。作为示例，交叉点阵列结构可以具有如下单元结构，该单元结构中柱形单元设置在与不同平面相交的电极之间。

发明内容

公开了一种根据本公开的一个方面的读取电阻式存储器件的方法。在读取电阻式存储器件的方法中，准备包括选择元件和可变电阻元件的存储单元。此时，所述选择元件在关于所述存储单元的电流-电压扫描曲线上表现出骤回行为。要施加给所述存储单元的第一读取电压和第二读取电压在所述选择元件维持导通状态的电压范围之内。所述第二读取电压的大小小于所述第一读取电压的大小，以及所述第二读取电压在所述选择元件表现出所述骤回行为的电压范围内。施加所述第一读取电压给所述存储单元以测量第一单元电流。施加所述第二读取电压给所述存储单元以测量第二单元电流。基于所述第一单元电流和所述第二单元电流来确定储存在所述存储单元中的电阻状态。

附图说明

图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的电阻式存储器件的框图。

图2是示意性地示出根据本公开的一个实施例的电阻式存储器件的存储单元阵列的视图。

图3是示出根据本公开的一个实施例的电阻式存储器件的存储单元阵列结构的立体图。

图4是示出根据本公开的一个实施例的电阻式存储器件的存储单元阵列的单位存储单元的立体图。

图5是示意性地示出根据本公开的一个实施例的读取电阻式存储器件的方法的流程图。

图6A是根据本公开的一个实施例的电阻式存储器件的选择元件的截面图，图6B是示出根据本公开的一个实施例的电阻式存储器件的选择元件的电流-电压扫描特性的图。

图7A和图7B是示意性地示出根据本公开的一个实施例的电阻式存储器件的存储单元中的根据电流扫描的输出电压的图。

图8A和图8B是示意性地示出根据本公开的一个实施例的电阻式存储器件的存储单元中的根据电压扫描的输出电流的图。

图9是示意性地示出本公开的一个实施例中的用于施加读取电压给电阻式存储器件的存储单元的输入脉冲的视图。

图10是示意性地示出本公开的另一实施例中的用于施加读取电压给电阻式存储器件的存储单元的输入脉冲的视图。

图11是示出本公开的一个实施例中的使用从电阻式存储器件的存储单元测量来的单元电流来确定电阻状态的方法的视图。

具体实施方式