[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201811365489.7 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109801827B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木芳彦;南雅人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
构成载置台的载置面的绝缘层，其中，所述载置台用于载置作为等离子体处理的对象的被处理件，所述绝缘层包括氧化铝、氧化钇和硅化合物；和
设置在所述绝缘层内的吸附电极，其由含镍金属或者含铬金属形成，通过对其施加规定的电压来吸附被处理件，
所述绝缘层包括相对于所述吸附电极处于所述被处理件侧的上部绝缘层和相对于所述吸附电极处于所述被处理件的相反侧的下部绝缘层，仅对下部绝缘层利用封孔材料进行了封孔处理。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述等离子体处理是利用含氯气体的等离子体进行的等离子体蚀刻处理，
所述吸附电极由含镍金属形成。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述等离子体处理是利用含氟气体的等离子体进行的等离子体蚀刻处理，
所述吸附电极由含铬金属形成。
4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述吸附电极由Ni-5Al、SUS316L、哈氏合金的任意者形成。
5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
还包括用于支承所述绝缘层的基材，所述基材由不锈钢形成。
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