[发明专利]彩膜基板加工方法

权利要求书

1.一种彩膜基板加工方法，其特征在于，所述彩膜基板包括基底、光阻层、导电层和隔垫物层；所述光阻层设置于所述基底上；所述导电层设置于所述光阻层上，并将所述光阻层完全覆盖；所述隔垫物层设置于所述导电层上；所述方法包括：

对所述隔垫物层进行检测；

判断所述隔垫物层是否满足预设条件；

若所述隔垫物层满足所述预设条件，则将返工药液加热至30℃～80℃并使用返工药液去除所述隔垫物层，同时施加超声波搅拌所述返工药液，以将所述导电层予以暴露，其中，所述隔垫物层为树脂，所述返工药液包括氢氧化钾、乙二醇和胺；以及

在暴露的所述导电层上重新制备隔垫物层；

其中，所述隔垫物层与所述导电层的刻蚀选择比大于1。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述返工药液的浓度为50wt％～100wt％。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述返工药液与所述隔垫物层的作用时间为2min～20min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔垫物层包括多个隔垫物，所述预设条件包括不满足规格参数的隔垫物的数量超出阈值；

所述对所述隔垫物层进行检测；判断所述隔垫物层是否满足预设条件；若所述隔垫物层满足所述预设条件，则使用返工药液去除所述隔垫物层，以将所述导电层予以暴露的步骤，包括：

检测各个所述隔垫物的规格参数；

统计不满足所述规格参数的隔垫物的数量；

若不满足所述规格参数的隔垫物的数量超出阈值，则使用返工药液去除所述隔垫物层，以将所述导电层予以暴露。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔垫物层包括多个隔垫物；所述预设条件包括不满足规格参数的隔垫物的数量占隔垫物总数的比例超出预设比例；

所述对所述隔垫物层进行检测；判断所述隔垫物层是否满足预设条件；若所述隔垫物层满足所述预设条件，则使用返工药液去除所述隔垫物层，以将所述导电层予以暴露的步骤，包括：

检测各个所述隔垫物的规格参数；

统计不满足所述规格参数的隔垫物的数量占隔垫物总数的比例；

若不满足所述规格参数的隔垫物的数量占隔垫物总数的比例超出预设比例，则使用返工药液去除所述隔垫物层，以将所述导电层予以暴露。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述规格参数包括所述隔垫物的尺寸和所述隔垫物的形状。