[发明专利]存储装置及用于操作存储装置的方法

说明书

本公开提供了一种存储装置以及用于操作该存储装置的方法。该存储装置可以对其上编程操作由于突然断电而被中断的页面执行重新编程操作。该存储装置可以包括：包括多个存储块的存储器装置，每个存储块包括多个页面；以及存储器控制器，被配置为使用重新编程数据对其上编程操作被中断的页面执行重新编程操作，该重新编程数据是依照多个页面中、其上编程操作被中断的所述页面中包括的存储器单元的阈值电压而设置的。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月21日提交的申请号为10-2018-0032847的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种存储装置和用于操作存储装置的方法。

背景技术

存储装置是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置的示例包括诸如在磁盘中存储数据的硬盘驱动器(HDD)的装置，以及诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的在半导体存储器、特别是在非易失性存储器中存储数据的装置。

存储装置可以包括其内存储数据的存储器装置，以及控制存储器装置中数据的存储的存储器控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种存储装置以及用于操作存储装置的方法，该存储装置对由于突然断电而被中断编程操作的页面执行重新编程操作。

本公开的实施例可以提供一种存储装置。该存储装置可以包括：存储器装置，包括多个存储块，每个存储块包括多个页面；以及存储器控制器，被配置为使用依照多个页面中被中断编程操作的页面中包括的存储器单元的阈值电压而设置的重新编程数据，对被中断编程操作的页面执行重新编程操作。

本公开的实施例可以提供一种用于操作存储装置的方法，该存储装置包括：具有多个存储块的存储器装置，每个存储块包括多个页面；以及用于控制存储器装置的存储器控制器。该方法可以包括使用默认读取电压对多个页面中被中断编程操作的页面执行读取操作，并且基于使用默认读取电压的读取操作的结果，使用较低读取电压和较高读取电压中的任一个来执行读取操作，以及基于该读取操作的结果执行重新编程操作，其中较低读取电压具有低于默认读取电压的电压电平，且较高读取电压具有高于默认读取电压的电压电平。

本公开的实施例可以提供一种存储装置。该存储装置可以包括：存储器装置，被配置为执行将编程数据存储在从多个页面中选择的页面中的编程操作；以及存储器控制器，被配置为当编程操作由于突然断电而被中断时，控制存储器装置以使得基于使用默认读取电压、较低读取电压和较高读取电压中的至少两个读取所选择的页面的结果，将垃圾数据、编程数据以及部分编程数据被修改的经修改编程数据中的任一个存储在所选择的页面中，其中较低读取电压具有低于默认读取电压的电压电平，较高读取电压具有高于默认读取电压的电压电平。

本公开的实施例可以提供一种存储器系统。该存储器系统可以包括：存储器装置，包括页面；以及控制器，适于当页面由于突然断电而被中断编程时：当页面的存储器单元的阈值电压低于较低读取电压时，控制存储器装置对具有原始编程数据的页面执行编程操作，其中，较低读取电压低于一个或多个默认读取电压；当阈值电压高于较低读取电压且低于默认读取电压时，控制存储器装置对具有垃圾数据的页面执行编程操作；并且当阈值电压高于默认读取电压且低于较高读取电压时，控制存储器装置对具有经修改数据的页面执行编程操作，其中，较高读取电压高于默认读取电压，其中控制器通过将待存储在根据较高读取电压作为关断单元被读取的存储器单元中的原始编程数据改变为具有值“1”，来生成经修改编程数据。

附图说明