[发明专利]存储装置及用于操作存储装置的方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

存储器装置，包括多个存储块，每个存储块包括多个页面；以及

存储器控制器，使用重新编程数据对编程操作被中断的页面执行重新编程操作，所述重新编程数据依照所述多个页面中、编程操作被中断的所述页面中包括的存储器单元的阈值电压而设置，

其中对同一页面执行被中断的编程操作和所述重新编程操作。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述存储器控制器在所述存储器单元的阈值电压处于执行所述编程操作之前的状态时，将编程数据设置为所述重新编程数据，所述编程数据是依照所述编程操作待存储的数据。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中执行所述编程操作之前的状态指示所述存储器单元的阈值电压低于默认读取电压且低于较低读取电压的状态，所述较低读取电压低于所述默认读取电压。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述存储器控制器在编程操作被中断的所述页面是不可恢复页面的情况下，将垃圾数据设置为所述重新编程数据。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中所述垃圾数据是保证对失败页面的读取操作失败的数据，所述垃圾数据被编程到所述失败页面。

6.根据权利要求4所述的存储装置，其中所述垃圾数据是被生成以使由所述重新编程操作引起的编程干扰最小化的数据。

7.根据权利要求4所述的存储装置，其中所述存储器控制器将所述垃圾数据编程到编程操作被中断的所述页面，并在所述存储器装置中存储失败页面信息，所述失败页面信息指示将所述垃圾数据存储在编程操作被中断的所述页面中。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其中所述存储器控制器将所述失败页面信息存储在编程操作被中断的所述页面的备用区域中。

9.根据权利要求7所述的存储装置，其中所述存储器控制器将所述失败页面信息存储在包括编程操作被中断的所述页面的存储块的系统信息区域中。

10.根据权利要求4所述的存储装置，其中编程操作被中断的所述页面是不可恢复页面的情况表示所述存储器单元的阈值电压低于默认读取电压且高于较低读取电压的状态，所述较低读取电压低于所述默认读取电压。

11.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述存储器控制器在编程操作被中断的所述页面是可恢复页面的情况下，将编程数据被修改的经修改编程数据设置为所述重新编程数据。

12.根据权利要求11所述的存储装置，其中编程操作被中断的所述页面是所述可恢复页面的情况表示所述存储器单元的阈值电压高于默认读取电压且高于较高读取电压的状态，所述较高读取电压高于所述默认读取电压。

13.根据权利要求12所述的存储装置，其中所述经修改编程数据是其中待存储在存储器单元中的数据改变为所述编程数据中的“1”的数据，作为使用所述较高读取电压的读取操作的结果，所述存储器单元被读取为关断单元，所述编程数据是依照所述编程操作待存储的数据。

14.一种用于操作存储装置的方法，所述存储装置包括具有多个存储块的存储器装置以及用于控制所述存储器装置的存储器控制器，每个存储块包括多个页面，所述方法包括：

使用默认读取电压对所述多个页面中、编程操作被中断的页面执行读取操作；并且

基于使用所述默认读取电压的读取操作的结果，使用较低读取电压和较高读取电压中的任一个来执行读取操作，并基于所述读取操作的结果执行重新编程操作，其中所述较低读取电压具有低于所述默认读取电压的电压电平，且所述较高读取电压具有高于所述默认读取电压的电压电平。