[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201811307911.3 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN109300920B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 何怀亮 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王宁 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及一种阵列基板,包括设置在主区的第一类主动阵列开关和设置在次区的第二类主动阵列开关,第一类主动阵列开关包括:设置在衬底基板上的第一栅极和设置在第一栅极上层的第一源极,第一源极在衬底基板上的投影和第一栅极在衬底基板上的投影的重叠部分的面积为第一重叠面积,第二类主动阵列开关包括:设置在衬底基板上的第二栅极和设置在第二栅极上层的第二源极,第二源极在衬底基板上的投影和第二栅极在衬底基板上的投影的重叠部分的面积为第二重叠面积,第一重叠面积大于第二重叠面积。本发明实施例提供的阵列基板,改善因主区和次区的栅极‑源极寄生电容大小差异而造成的影像残留问题,提高显示画质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
高阶面板产品的设计近年发展朝向高画值、高解析度的产品面,其中,在垂直配向(VA,Vertical Alignment)系列的面板市场,多采用不同畴的像素设计,以改善大视角下视觉偏差的现象。
传统技术中常将一个像素单元分为主区和次区,其中,一个像素单元包括多个子像素,然后在主区设置一个独立的主区像素电极,在次区设置一个独立的次区像素电极,主区像素电极与次区像素电极交错设置,实现多畴显示。但发明人在实施过程中,发现传统技术至少存在以下缺陷:不同畴的显示须借由不同颗的薄膜晶体管(TFT,Thin FilmTransistor)元件来对液晶电容进行充电,考虑大视角显示品质,当提供固定灰阶电压为液晶电容进行充电时,因充电差异,使得子像素的不同畴具有灰阶差异,因不同的薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)元件设计产生的寄生电容差异,如栅极-漏极电容Cgd和栅极-源极电容Cgs差异,会造成子像素的主区与次区的最佳公共电压Vcom会存在差异,造成影像残留。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板和显示装置,有利于实现主区及次区的最佳公共电压平衡,避免影像残留。
为了实现上述目的,一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括设置在主区的第一类主动阵列开关和设置在次区的第二类主动阵列开关;第一类主动阵列开关是用于驱动主区像素电极的薄膜晶体管,第二类主动阵列开关是用于驱动次区像素电极的薄膜晶体管;
第一类主动阵列开关包括:设置在衬底基板上的第一栅极和设置在第一栅极上层的第一源极,第一源极在衬底基板上的投影和第一栅极在衬底基板上的投影的重叠部分的面积为第一重叠面积;
第二类主动阵列开关包括:设置在衬底基板上的第二栅极和设置在第二栅极上层的第二源极,第二源极在衬底基板上的投影和第二栅极在衬底基板上的投影的重叠部分的面积为第二重叠面积;
第一重叠面积大于第二重叠面积。
在其中一个实施例中,阵列基板还包括数据线、多个主区像素电极和多个次区像素电极,第一类主动阵列开关还包括第一漏极,第二类主动阵列开关还包括第二漏极,第一漏极连接数据线,第一源极连接对应的主区像素电极;
第二漏极连接数据线,第二源极连接对应的次区像素电极。
在其中一个实施例中,第一源极在衬底基板上的投影和第二源极在衬底基板上的投影均呈条形,第一源极在衬底基板上的投影的长度为L1,第二源极在衬底基板上的投影的长度为L2,其中,L1>L2。
在其中一个实施例中,第一源极包括第一子源极和第二子源极,第一子源极在衬底基板上的投影为沿第一方向设置的条形走线,第二子源极在衬底基板上的投影为沿第二方向设置的条形走线,第一子源极和第二子源极连接。
在其中一个实施例中,第二源极包括第三子源极和第四子源极,第三子源极在衬底基板上的投影为沿第一方向设置的条形走线,第四子源极在衬底基板上的投影为沿第二方向设置的条形走线,第三子源极和第四子源极连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司,未经惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811307911.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的