[发明专利]一种菊酯类杀虫剂电致化学发光传感器的制备方法及应用

权利要求书

1.一种菊酯类杀虫剂电致化学发光传感器的制备方法，其特征在于，所述的菊酯类杀虫剂电致化学发光传感器由铁钴双金属氧化物纳米片阵列电极FeCoO-nanoarray上原位生长无模板分子分子印迹聚合物NIP得到的；所述的无模板分子分子印迹聚合物NIP是不含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的不含有模板分子的分子印迹聚合物是由含模板分子分子印迹聚合物MIP经过洗脱模板分子得到的；所述的含模板分子分子印迹聚合物MIP是含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的模板分子是菊酯类杀虫剂。

2.如权利要求1所述的铁钴双金属氧化物纳米片阵列电极FeCoO-nanoarray，其特征在于，所述的FeCoO-nanoarray的制备方法包括以下制备步骤：

（1）将一次性可抛电极分别使用稀盐酸、无水乙醇和去离子进行超声清洗处理，用以去除一次性可抛电极的氧化层和表面杂质；

（2）称取1~3 mmol Fe(NO₃)₃和Co(NO₃)₂的混合物以及3~9 mmol尿素CO(NH₂)₂，将其置入50 mL烧杯中，加入30 mL去离子水搅拌至澄清，然后转移到50 mL聚四氟乙烯反应釜中；

（3）将步骤（1）处理好的一次性可抛电极放入步骤（2）中的反应釜里的溶液中，在100~130 ℃的温度下反应9~12小时，然后，取出晾干后在300~400℃下退火处理1~3小时，制备得到铁钴双金属氧化物纳米片阵列前驱体电极；

（4）将步骤（3）得到的铁钴双金属氧化物纳米片阵列前驱体电极插入含有多巴胺和过硫酸胺的磷酸盐缓冲溶液PBS中，在20~40 ℃的温度下反应4~6小时后，取出并用去离子水浸洗2~4次，制备得到铁钴双金属氧化物纳米片阵列电极FeCoO-nanoarray；

所述的一次性可抛电极选自下列电极之一：泡沫镍、泡沫铜、纯镍片、纯铜片、纯钴片、纯硅片、导电碳布；所述的Fe(NO₃)₃和Co(NO₃)₂的混合物中铁和钴的摩尔比为1：1；

所述的含有多巴胺、过硫酸胺和硝酸钴的磷酸盐缓冲溶液PBS中：多巴胺浓度为2~5mg/mL，过硫酸胺的浓度为3~8 mg/mL，磷酸盐缓冲溶液PBS的浓度为0.1 mol/L，pH值为7.2~8.5。

3.如权利要求1所述的含模板分子分子印迹聚合物MIP，其特征在于，所述的含模板分子分子印迹聚合物MIP是直接原位生长在FeCoO-nanoarray上的，制备方法包括以下制备步骤：

（1）分别称取0.25~ 0.45mmol模板分子和3~5 mmol 2-甲基丙烯酸MAA于安倍瓶中，加入8~15 mL乙腈，超声30 min至全部溶解；

（2）将15~25 mmol 乙二醇二甲基丙烯酸酯EDMA加入到步骤（1）的溶液中，超声30 min至混合均匀，得到前驱体混合溶液；

（3）将FeCoO-nanoarray夹到旋转搅拌器上，插入到步骤（2）中的前驱体混合溶液中，在N₂环境和水浴20~40℃的温度下，以5~200转/秒的速度旋转搅拌，同时以1~20滴/秒的速度向混合溶液中同时滴加1 mmol/L的鲁米诺溶液1~3 mL和1 mmol偶氮二异丁腈AIBN进行引发聚合，在FeCoO-nanoarray上得到原位生长的含模板分子分子印迹聚合物MIP。

4. 如权利要求1所述的无模板分子分子印迹聚合物NIP，其特征在于所述的无模板分子分子印迹聚合物NIP的制备步骤为：将权利要求3中得到的在FeCoO-nanoarray上原位生长的含模板分子分子印迹聚合物MIP浸没于洗脱剂中，在室温下将模板分子进行洗脱5~20min，然后取出，即制得无模板分子分子印迹聚合物NIP；所述的洗脱剂为甲酸和甲醇的混合液，其中甲酸与甲醇的体积比为9:(1~5)。