[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置(10)具备腔室(11)、气体供给源(44)、天线(54)以及多个保持部(55)。腔室(11)在内部具有空间，利用在空间内生成的等离子体对被搬入到空间内的半导体晶圆(W)进行处理。气体供给源(44)向腔室(11)的空间内供给处理气体。天线(54)具有卷绕两圈以上的线路(540)，通过由在线路(540)中流动的电流在腔室(11)的空间内形成的感应电场来在空间内生成等离子体。各个保持部(55)保持天线(54)的线路(540)。另外，保持部(55)以与相邻的其它保持部(55)之间形成规定距离以上的间隙的方式配置于天线(54)的线路(540)。

技术领域

本发明的各个方面和实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在半导体基板等的制造工序中，存在使用等离子体对基板实施蚀刻、成膜等处理的工序。在这样的等离子体处理中使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)装置等各种等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，为了生成等离子体而使用高频。

作为使用高频的等离子体处理装置，已知一种电感耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)处理装置，其通过由流过线圈的高频产生的高频磁场在腔室内感应出高频电场，通过感应出的高频电场使处理气体等离子体化。在ICP处理装置中，能够以高真空度生成高密度的等离子体。

在这样的ICP处理装置中，在构成收容被处理体的腔室的顶壁的电介质窗的上侧设置天线室，在该天线室中配置高频天线。构成高频天线的线路被卷绕多次，并且被由绝缘体构成的多个保持件保持。

专利文献1：美国专利第6685798号说明书

发明内容

发明要解决的问题

另外，天线室内的高频天线被多个保持件保持，但在对高频天线施加了高频的情况下，有时产生所谓的沿面放电，即在相邻的线路间沿着保持件的表面放电。当产生沿面放电时，保持件的劣化加剧，存在导致保持件的介质击穿等的可能性。因此，需要抑制在保持件的表面产生沿面放电。

用于解决问题的方案

本发明的一个方面为等离子体处理装置，其具备腔室、气体供给部、高频天线以及多个保持部。腔室在内部具有空间，利用在空间内生成的等离子体对被搬入空间内的被处理体进行处理。气体供给部向腔室的空间内供给处理气体。高频天线具有相邻的多个线路，通过由在各个线路中流动的电流在腔室的空间内形成的感应电场来在空间内生成等离子体。各个保持部保持高频天线的线路。另外，保持部以与相邻的其它保持部之间形成规定距离以上的间隙的方式配置于高频天线所具有的各个线路。

发明的效果

根据本发明的各个方面和实施方式，能够抑制在保持高频天线的保持部的表面产生沿面放电。

附图说明

图1是表示等离子体处理装置的概要的一例的截面图。

图2是表示实施例1中的保持部的配置的一例的图。

图3是表示实施例1中的保持部的配置的一例的放大图。

图4是表示实施例1中的保持部的配置的一例的放大图。

图5是表示实施例1中的保持部的配置的其它例的放大图。

图6是表示耐压试验中的试验环境的图。

图7是表示比较例中的保持部的一例的图。

图8是表示耐压试验的结果的图。