[发明专利]平坦化机台及其平坦化方法有效
| 申请号: | 201811278785.3 | 申请日: | 2018-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN109719616B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
| 发明(设计)人: | 吴铭栋;蓝浚恺;周东和;匡训沖 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/30 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蒋林清 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平坦 机台 及其 方法 | ||
1.一种平坦化机台,其包括:
台板,其经配置以支撑晶片;及
磨轮,其位于所述台板上且经配置以研磨所述晶片,所述磨轮包括:
底环;及
多个磨齿,其安装于所述底环上,所述多个磨齿包括多个磨粒,其中所述多个磨粒呈球形。
2.根据权利要求1所述的平坦化机台,其中所述多个磨粒的莫氏硬度大体上等于或大于9。
3.根据权利要求1所述的平坦化机台,其进一步包括位于所述台板上且经配置以固定所述晶片的卡盘台。
4.根据权利要求3所述的平坦化机台,其中所述台板及所述卡盘台能够围绕不同轴线旋转。
5.一种平坦化机台,其包括:
台板,其经配置以支撑晶片;
框架,其安置于所述台板上,其中所述框架包围所述晶片以在所述台板上界定用于容纳研浆的贮槽;以及
磨轮,其位于所述台板上且经配置以研磨所述晶片。
6.根据权利要求5所述的平坦化机台,其中所述研浆包括电解质。
7.根据权利要求6所述的平坦化机台,其进一步包括经配置以提供所述晶片与所述电解质之间的电位的第一电极及第二电极。
8.根据权利要求7所述的平坦化机台,其中所述第一电极与所述晶片接触且所述第二电极与所述电解质接触。
9.根据权利要求7所述的平坦化机台,其进一步包括位于所述电解质中且介于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻调整组件,其中所述电阻调整组件的电阻高于所述晶片的电阻。
10.一种平坦化方法,其包括:
将晶片安置于贮槽中;
将研浆供给到所述贮槽中,其中所述研浆包括电解质及多个磨光剂;
将电压电位施加于所述电解质与所述晶片之间以电化学蚀刻所述晶片;以及
使用磨轮来研磨所述晶片。
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