[发明专利]一种感应耦合等离子体刻蚀设备及刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811246568.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111092008A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘小波;李雪冬;胡冬冬;车东晨;王佳;陈璐;徐康宁;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟;崔建丽 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 感应 耦合 等离子体 刻蚀 设备 方法 | ||
1.一种感应耦合等离子体刻蚀设备，包括刻蚀腔、激励射频电源、第一偏压射频电源，其特征在于，
还包括第二偏压射频电源，所述第二偏压射频电源的频率明显低于所述第一偏压射频电源的频率。
2.根据权利要求1所述的感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，
所述第一偏压射频电源的频率是13.56MHz、27.12MHz或40.68MHz。
3.根据权利要求2所述的感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，
所述第二偏压射频电源的频率为200kHz～500kHz，功率为10W～2000W。
4.根据权利要求2所述的感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，
所述第二偏压射频电源的频率为1.7MHz～2.3MHz，功率为10W～1000W。
5.根据权利要求1所述的感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，
所述激励射频电源与刻蚀腔的上电极相连接，所述第一偏压射频电源和所述第二偏压射频电源分别通过开关与刻蚀腔的下电极相连接。
6.根据权利要求5所述的感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，
在刻蚀过程中，所述激励射频电源处于开启状态，所述第一偏压射频电源和所述第二偏压射频电源可以开启其中一个。
7.根据权利要求1所述的感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，
所述激励射频电源与刻蚀腔的上电极相连接，所述第一偏压射频电源通过高通滤波器与刻蚀腔的下电极相连接，所述第二偏压射频电源通过低通滤波器与刻蚀腔的下电极相连接。
8.根据权利要求7所述的感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，
在刻蚀过程中，所述激励射频电源处于开启状态，所述第一偏压射频电源和所述第二偏压射频电源可以开启其中一个或者两个同时开启。
9.一种感应耦合等离子体刻蚀方法，使用权利要求1所述的感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，
在刻蚀过程中，开启所述激励射频电源，根据工艺需要，至少开启所述第一偏压射频电源和所述第二偏压射频电源中的一个。
10.根据权利要求9所述的感应耦合等离子体刻蚀方法，其特征在于，
所述感应耦合等离子体刻蚀方法适用于磁性隧道结的刻蚀。
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