[发明专利]摄像装置有效
| 申请号: | 201811241434.5 | 申请日: | 2014-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN109728014B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
| 发明(设计)人: | 朝妻智彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
1.一种摄像装置,其包括:
基板;
布置在所述基板中的第一光电二极管和第二光电二极管,所述第二光电二极管与所述第一光电二极管相邻;
布置在所述第一光电二极管上方的第一层,所述第一层具有第一折射率;
布置在所述第二光电二极管上方的第二层,所述第二层具有第二折射率;
布置在所述第一层上方的第一滤色器,所述第一滤色器对应于第一颜色;以及
布置在所述第二层上方的第二滤色器,所述第二滤色器对应于第二颜色,
其中,所述第一折射率不同于所述第二折射率,且所述第一颜色不同于所述第二颜色。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其进一步包括:
布置在所述第一光电二极管和所述第一滤色器之间的平坦化膜。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,所述平坦化膜包括氧化硅。
4.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,所述平坦化膜由光敏树脂形成。
5.根据权利要求1所述的摄像装置,其进一步包括:
布置在所述第一光电二极管和所述第一滤色器之间的防反射膜。
6.根据权利要求1所述的摄像装置,其进一步包括:
布置在所述第一光电二极管和所述第一滤色器之间的绝缘层。
7.根据权利要求6所述的摄像装置,其中,所述绝缘层包括氧化铪。
8.根据权利要求6所述的摄像装置,其中,所述绝缘层包括氧化硅。
9.根据权利要求6所述的摄像装置,其中,所述绝缘层包括两层。
10.根据权利要求9所述的摄像装置,其中,所述绝缘层包括氧化铪膜和氧化硅膜。
11.根据权利要求6所述的摄像装置,其进一步包括:
布置在所述绝缘层上方的遮光层。
12.根据权利要求11所述的摄像装置,其中,所述遮光层包括钨、铝、铜、钛、钼或镍。
13.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第一光电二极管形成在摄像像素中,且所述第二光电二极管形成在相位差像素中。
14.根据权利要求13所述的摄像装置,其中,入射在所述相位差像素的遮光层上的光形成至少两个角落区域,并且其中,所述相位差像素的所述遮光层的孔径形状是具有从所述至少两个角落区域嵌入的至少两个边缘的形状。
15.根据权利要求14所述的摄像装置,其中,所述相位差像素的所述遮光层的所述孔径形状是多边形形状。
16.根据权利要求13所述的摄像装置,其中,所述相位差像素的遮光层的孔径形状是半圆形形状。
17.根据权利要求13所述的摄像装置,其中,所述摄像装置包括具有不同孔径宽度的遮光层的多个所述相位差像素。
18.根据权利要求13所述的摄像装置,其中,所述摄像装置包括具有不同孔径方向的遮光层的多个所述相位差像素。
19.根据权利要求13所述的摄像装置,其中,所述相位差像素是焦点检测用像素,并且所述摄像像素为图像生成用像素。
20.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第一折射率和所述第二折射率之差等于或大于0.2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





