[发明专利]研磨方法及研磨装置

权利要求书

1.一种研磨方法，其特征在于，

使研磨台旋转，在该研磨台的内部配置基板检测传感器以及膜厚传感器，

通过具备挡环的研磨头将基板按压于所述研磨台上的研磨垫并对该基板进行研磨，

在所述基板的研磨过程中，一边使所述基板检测传感器以及所述膜厚传感器横穿所述基板的表面，一边使所述基板检测传感器以预先设定的周期生成基板检测信号，且使所述膜厚传感器在规定的测定点生成膜厚信号，

根据所述基板检测信号的数量，计算出所述基板的中心相对于所述研磨头的中心的偏心角，所述偏心角是通过所述研磨头的中心的基准线和通过所述研磨头的中心以及所述基板的中心的直线所形成的角度，

基于所述偏心角修正所述规定的测定点的位置，

基于所述规定的测定点的修正后的位置和所述膜厚信号，对所述研磨头按压所述基板的研磨压力进行控制。

2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

从所述研磨台的中心至所述基板检测传感器的距离比从所述研磨台的中心至所述膜厚传感器的距离短。

3.如权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，

在所述基板的研磨过程中，所述基板检测传感器横穿所述基板的边缘部，所述膜厚传感器横穿所述边缘部以及该边缘部的内侧的区域。

4.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

基于所述偏心角修正所述规定的测定点的位置的工序是如下工序：

根据将所述基板的直径与所述挡环的内径的差除以2而得到的数值和所述偏心角，计算出坐标修正值，并基于所述坐标修正值修正所述规定的测定点的位置。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的研磨方法，其特征在于，

所述基板检测传感器是膜厚传感器。

6.如权利要求5所述的研磨方法，其特征在于，

所述基板检测传感器是光学式膜厚传感器。

7.如权利要求5所述的研磨方法，其特征在于，

所述基板检测传感器是涡电流传感器。

8.一种研磨装置，其特征在于，包括：

研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；

研磨头，该研磨头将基板按压于所述研磨垫并对所述基板进行研磨；

膜厚传感器，该膜厚传感器设置于所述研磨台，并且在规定的测定点生成膜厚信号；

基板检测传感器，该基板检测传感器设置于所述研磨台，并且以预先设定的周期生成基板检测信号；

数据处理部，该数据处理部根据所述基板检测信号的数量计算出所述基板的中心相对于所述研磨头的中心的偏心角，基于所述偏心角修正所述规定的测定点的位置，并且基于所述规定的测定点的修正后的位置和所述膜厚信号来确定所述研磨头按压所述基板的研磨压力的目标值；以及

动作控制部，该动作控制部基于所述研磨压力的目标值对所述研磨头按压所述基板的研磨压力进行控制，

所述偏心角是通过所述研磨头的中心的基准线和通过所述研磨头的中心以及所述基板的中心的直线所形成的角度。

9.如权利要求8所述的研磨装置，其特征在于，

从所述研磨台的中心至所述基板检测传感器的距离比从所述研磨台的中心至所述膜厚传感器的距离短。

10.如权利要求8所述的研磨装置，其特征在于，

所述数据处理部构成为，

根据将所述基板的直径与所述研磨头所具备的挡环的内径的差除以2而得到的数值和所述偏心角，计算出坐标修正值，并基于所述坐标修正值修正所述规定的测定点的位置。

11.如权利要求8～10中的任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述基板检测传感器是膜厚传感器。

12.如权利要求11所述的研磨装置，其特征在于，

所述基板检测传感器是光学式膜厚传感器。

13.如权利要求11所述的研磨装置，其特征在于，

所述基板检测传感器是涡电流传感器。