[发明专利]薄膜太阳能电池预制板的制备方法有效
申请号: | 201811229775.0 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN111092135B | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
发明(设计)人: | 王涛;代凤玉 | 申请(专利权)人: | 鸿翌科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 孙剑锋 |
地址: | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 预制板 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池预制板的制备方法,其特征在于,包括:S10,提供金属基底(110),所述金属基底(110)具有一生长表面(111);S20,对所述生长表面(111)进行表面处理;S30,在所述生长表面(111)上生长石墨烯薄膜(120),所述石墨烯薄膜(120)厚度为0.1μm~2μm,获得薄膜太阳能电池衬底(100);S50,对所述薄膜太阳能电池衬底(100)做退火处理;S51,将所述薄膜太阳能 电池衬底(100)放置在加热炉内,所述加热炉内填充惰性气体;S52,升高所述加热炉内温度来加热所述薄膜太阳能电池衬底(100),加热的速度为10℃/s~30℃/s,且加热到500℃~550℃;S53,保持所述薄膜太阳能电池衬底(100)的温度在500℃~550℃这个范围内15min~30min;S54,加热炉停止加热,炉内温度自然下降,所述薄膜太阳能电池衬底(100)随炉内温度冷却至300℃~360℃;S55,保持所述薄膜太阳能电池衬底(100)的温度在300℃~360℃这个范围内15min~30min;S56,降低炉内温度至室温,降温速度为2℃/s~15℃/s;S40,制备背电极层(130),覆盖所述石墨烯薄膜(120),获得薄膜太阳能电池预制板(200);S60,对所述薄膜太阳能电池预制板(200)做退火处理;S61,将所述薄膜太阳能电池预制板(200)放置在加热炉内,所述加热炉内填充氩气;S62,升高所述加热炉内温度来加热所述薄膜太阳能电池预制板(200),加热到340℃~380℃;S63,保持所述薄膜太阳能电池预制板(200)的温度在340℃~380℃这个范围内15min~30min;S64,降低加热炉内温度至室温。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池预制板的制备方法,其特征在于,所述金属基底(110)为不锈钢材料。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池预制板的制备方法,其特征在于,所述S20包括:S21,将所述金属基底(110)放置在高压喷淋装置内;S22,制备清洗液;S23,用所述清洗液高压喷淋所述金属基底(110);S24,将所述金属基底(110)放入超声清洗装置中清洗;S25,吹干所述金属基底(110)。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池预制板的制备方法,其特征在于,在所述S20中,对所述金属基底(110)进行高温处理。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池预制板的制备方法,其特征在于,在所述S30中,采用磁溅射法制备所述背电极层(130)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的