[发明专利]一种具有硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池制备方法及其产品

权利要求书

1.一种具有硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

（1）进行透明导电FTO基底预处理；

（2）水浴法在透明导电FTO基底上制备In₂S₃电子传输层；

（3）一步旋涂法在In₂S₃电子传输层上制备CsPbIBr₂钙钛矿吸光层，所述制备CsPbIBr₂钙钛矿吸光层的具体方法为：

首先按照312:440:1，g:g:L的比例将CsI与PbBr₂加入DMSO中配制成溶液，在60℃条件下搅拌至完全溶解得到钙钛矿前驱液；

其次将步骤（2）中的产物放置于旋涂仪上，滴入上述配制的钙钛矿前驱液60uL，设置旋涂仪的转速为3000rpm，旋涂45s；

最后旋涂结束后将其置于手套箱中50-60s，待薄膜颜色稍显橙色时先将薄膜置于29～31℃下 10min，再以0.2～0.4℃/s的速率升温至160℃，保持20min后即可在In₂S₃电子传输层上制备得到CsPbIBr₂钙钛矿吸光层；

（4）旋涂法在CsPbIBr₂钙钛矿吸光层上制备Spiro-OMeTAD空穴传输层；

（5）在Spiro-OMeTAD空穴传输层上蒸镀金属背电极。

2.根据权利要求1所述一种具有硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述预处理的方法为：将FTO依次经洗洁精水、去离子水、丙酮、无水乙醇、异丙醇各超声清洗30min后用氮气枪吹干，然后用UV-O₃处理30min，再置于0.06M的APTS及3-氨丙基三乙氧基硅烷的甲醇溶液中进行分子自组装，40℃条件下处理3h后使用干净甲醇清洗去除未组装的APTS分子即可。

3.根据权利要求1所述一种具有硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述制备In₂S₃电子传输层的具体方法为：

首先配制In₂S₃前驱液：按照0.025:0.125:0.1:1，mol:mol:mol:L的比例将氯化铟、柠檬酸、硫代乙酰胺以及去离子水配置成In₂S₃前驱液，常温下搅拌至完全溶解后用450nm过滤塞过滤后置于密闭容器中待用；

其次在FTO基底上制备In₂S₃薄膜：将经过预处理的FTO基底垂直放入装有In₂S₃前驱液的密闭容器中，将容器置于温度为70℃的水浴锅中反应55-100min，反应结束后即可在FTO基底上制备得到In₂S₃电子传输层；

最后In₂S₃电子传输层清洗：取出生长有In₂S₃薄膜的FTO基底，先用去离子水进行超声清洗，直至得到表面干净与光滑的半透明黄色薄膜，再使用无水乙醇清洗掉残留的其它有机物，得到干净的In₂S₃电子传输层待用。