[发明专利]基板处理装置及方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，所述基板具有研磨层，所述研磨层包括：第一膜层，其形成有缺口图案；第二膜层，其以不同于所述第一膜层的材质形成，且填充于所述缺口图案，并覆盖所述第一膜层，

其中，所述基板处理装置包括：

研磨垫，其研磨基板的研磨层；

温度测量部，其测量所述研磨垫的温度以获得温度信息；

存储部，其存储由所述研磨垫的使用时间决定的所述研磨垫的基准温度斜率；

控制部，当由所述温度测量部获得的所述研磨垫的测量温度斜率与所述基准温度斜率之间的温度斜率偏差超出规定值时，认定为所述第一膜层露出，并结束对所述基板的研磨工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述控制部在所述基板的研磨时间经过预先定义的基准时间后，控制所述基板的研磨结束时间点。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述温度测量部在只有所述第二膜层接触所述研磨垫的状态下，测量因所述第一膜层和所述第二膜层一同接触所述研磨垫而导致的所述研磨垫的温度变化。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

当所述测量温度斜率低于所述基准温度斜率时，所述控制部结束对所述基板的研磨。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

所述第一膜层与所述第二膜层中的一种以上以金属材质形成。

6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

所述第一膜层与所述第二膜层中的一种以上以非金属材质形成。

7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

所述第一膜层以氧化物(SiO₂)或氮化物(SiN)形成，

所述第二膜层以钨(W)形成。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理装置，其中，

所述温度测量部在对所述基板进行研磨期间，实时测量所述研磨垫的温度信息。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，

所述研磨垫进行自转，所述温度测量部配置于所述研磨垫的自转方向上的所述基板的前方；

所述温度测量部在经过所述基板而露出于外部的所述研磨垫的露出区域，在所述研磨垫中测量温度信息。

10.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理装置，其中，

所述温度测量部包括以非接触方式测量所述研磨垫的所述温度信息的非接触式传感器。

11.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理装置，其中，

所述温度测量部包括以接触方式测量所述研磨垫的温度信息的接触式传感器。

12.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理装置，其中，

包括基于所述研磨垫的温度信息调节所述基板的研磨参数的调节部。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，

所述调节部调节如下研磨参数中的一种以上，即，与将所述基板加压于所述研磨垫的承载头相关的承载头研磨参数、与对所述研磨垫重整的调节器相关的调节器研磨参数、与向所述基板供应浆料的浆料供应部相关的浆料供应部研磨参数。