[发明专利]一种太阳能电池的制备工艺

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：

S1：在硅基体(1)的至少一个表面上设置掺杂硅层；

S2：采用激光照射所述掺杂硅层的预设区域，在所述掺杂硅层的预设区域上形成含掺杂源氧化硅保护层(6)；

S3：去除未形成含掺杂源氧化硅保护层(6)区域的掺杂硅层，在所述硅基体(1)的至少一个表面形成局部掺杂硅层(7)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备工艺，其特征是，步骤S1具体包括：在硅基体(1)的至少一个表面上设置本征硅层(4)，再在所述本征硅层(4)上进行掺杂源掺杂，形成所述掺杂硅层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：步骤S1中所述的硅基体(1)为P型硅片，在步骤S1之前，所述制备方法还包括：对所述硅基体(1)进行制绒并形成P-N结(2)，再在形成P-N结(2)后的硅基体(1)的至少一个表面设置隧穿钝化层(3)；在步骤S1中，在隧穿钝化层(3)上设置本征硅层(4)。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：设置在所述硅基体(1)正面的隧穿钝化层(3)包括但不限于氧化硅、氮氧化硅和氢化非晶氧化硅中的一种或几种。

5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：设置在所述硅基体(1)背面的隧穿钝化层(3)包括但不限于氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化钒、氧化钨、氧化镍、氧化钼和氯化亚铜中的一种或几种。

6.根据权利要求3或4所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：步骤S2中掺杂源位于所述硅基体(1)的正面时，所述掺杂源为第V族元素，掺杂浓度为1×10¹⁸-9×10²⁰atoms/cm³。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：步骤S2中所述掺杂源位于所述硅基体(1)的背面时，所述掺杂源为第III族族元素，掺杂浓度为1×10¹⁸-9×10²⁰atoms/cm³。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：步骤S2中所述含掺杂源氧化硅保护层(6)的位置和形状与对应表面上的金属导电电极的位置和图形相对应。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：步骤S3中采用碱液去除未形成含掺杂源氧化硅保护层(6)区域的掺杂硅层。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：步骤S3中去除未形成含掺杂源氧化硅保护层(6)区域的掺杂硅层后，还需要去除含掺杂源的氧化硅保护层(6)。