[发明专利]新型白光发光元器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811202304.0 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109461804A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 孙振华;刘舸;闫成员;周贵港;温嘉敏;武红磊;郑瑞生 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 白光 制备 荧光粉 氮化铝晶体 发光元器件 器件结构 发光 三明治 半导体器件 氮化铝材料 氮化镓薄膜 可见光区域 材料选用 层叠结构 单一材料 发射光谱 功能材料 晶体材料 气相传输 缺陷能级 新型白光 直接通电 输出 掺杂的 传统的 发光层 功能层 宽紧带 电极 光色 禁带 半导体 紧凑 承载 转换 激发 配合 | ||
1.一种白光发光元器件，其特征在于：包括第一电极片、第二电极片和氮化铝晶体层，所述氮化铝晶体层层叠结合在所述第一电极片与第二电极片之间。
2.如权利要求1所述的白光发光元器件，其特征在于：所述氮化铝晶体层的厚度为0.1-3mm。
3.如权利要求1或2所述的白光发光元器件，其特征在于：所述第一电极片的厚度为大于等于1mm。
4.如权利要求1或2所述的白光发光元器件，其特征在于：所述第一电极片的材料为熔点高于2300℃的金属或合金。
5.如权利要求1、2、5任一项所述的白光发光元器件，其特征在于：所述第二电极片为金层，所述第二电极片的厚度为大于等于20nm。
6.一种制备白光元器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底电极上生长氮化铝晶体层；
对背离所述衬底电极的所述氮化铝晶体层的表面进行表面平整处理；
在被所述平整处理的所述氮化铝晶体层表面上形成顶电极层。
7.如权利要求7所述的白光元器件的制备方法，其特征在于：在衬底电极上生长所述氮化铝晶体层的方法为：物理气相传输法或其他生长晶体的方法，所述物理气相传输法的温度为2200-2300℃。
8.如权利要求7所述的白光元器件的制备方法，其特征在于：在形成所述顶电极层的步骤之后，还包括将形成有所述顶电极层的氮化铝晶体层进行退火处理。
9.如权利要求9所述的白光元器件的制备方法，其特征在于：所述褪火处理的温度为400-600℃，所述惰性环境为氮气、氩气、真空中的一种或多种。
10.一种白光发光芯片，其特征在于包含权利要求1所述的白光元器件。
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