[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成有源图案；

在所述有源图案上形成横越所述有源图案的栅电极；

在所述有源图案中形成与所述栅电极的侧壁相邻的凹部；以及

使用源气体和掺杂气体执行化学气相沉积工艺，以在所述凹部中形成源极/漏极区域，

其中所述源气体包括硅前体和锗前体，并且

其中所述掺杂气体包括镓前体和硼前体。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括暴露所述源极/漏极区域的一部分的接触孔；以及

在所述接触孔中形成接触，

其中，在形成所述层间绝缘膜之后，不执行用于将p型杂质掺杂到所述源极/漏极区域中的掺杂工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有源图案具有从所述衬底突出的鳍形状。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅前体包括二氯硅烷SiCl₂，并且所述锗前体包括锗烷GeH₄。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镓前体包括含镓的有机金属化合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硼前体包括乙硼烷B₂H₆。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源极/漏极区域包括Si_1-xGe_x，并且x的范围为0.4至0.7，并且

其中，所述源极/漏极区域还包含镓和硼。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述化学气相沉积工艺包括：执行单个化学气相沉积工艺来形成所述源极/漏极区域。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述源极/漏极区域包括约1E20cm^-3或更高的镓浓度。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述源极/漏极区域包括约0.1E20cm^-3至约5E20cm^-3的硼浓度。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成有源图案；

在所述有源图案上形成横越所述有源图案的栅电极；

在所述有源图案中形成与所述栅电极的侧壁相邻的凹部；以及

通过原位执行外延生长工艺和掺杂工艺，在所述凹部中形成源极/漏极区域，

其中，所述源极/漏极区域包括掺杂有镓和硼的Si_1-xGe_x。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，x的范围为0.4至0.7。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述外延生长工艺和所述掺杂工艺通过单个化学气相沉积工艺来执行。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成所述源极/漏极区域之后，不执行用于将p型杂质掺杂到所述源极/漏极区域中的掺杂工艺。