[发明专利]主动元件基板

权利要求书

1.一种主动元件基板，其特征在于，包括：

一可挠基板，具有一主动区、该主动区外的一周边区以及连接于该主动区与该周边区之间的一可弯折区；

一无机绝缘层，设置于该可挠基板上，且该无机绝缘层具有位于该可弯折区的一第一沟槽；

一有机绝缘图案，设置于该无机绝缘层的该第一沟槽；

一导电元件，设置于该周边区；以及

一周边走线，由该主动区延伸至位于该周边区的该导电元件，其中位于该可弯折区的该周边走线设置于该有机绝缘图案上，且该有机绝缘图案位于该周边走线与该可挠基板之间。

2.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，更包括一薄膜晶体管，设置于该主动区，其中该薄膜晶体管包括：

一半导体图案，设置于该可挠基板上；

一栅极；

一源极以及一漏极，位于该栅极上方，且与该半导体图案电性连接。

3.如权利要求2所述的主动元件基板，其特征在于，该无机绝缘层包括：

一第一绝缘层，覆盖该半导体图案；以及

一第二绝缘层，覆盖该栅极以及该第一绝缘层，其中该第一沟槽贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层。

4.如权利要求3所述的主动元件基板，其特征在于，该无机绝缘层更具有一第一贯孔及一第二贯孔，该源极与该漏极设置于该无机绝缘层上且分别通过该第一贯孔及该第二贯孔与该半导体图案电性连接，而该周边走线、该源极与该漏极属于同一膜层。

5.如权利要求3所述的主动元件基板，其特征在于，该有机绝缘图案具有背向该可挠基板的一上表面，该第二绝缘层具有背向该可挠基板的一上表面，而该有机绝缘图案的该上表面与该可挠基板的距离大于或等于该第二绝缘层的该上表面与该可挠基板的距离。

6.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，该有机绝缘图案的一上表面具有多个凸起部，而该周边走线共形地设置于该些凸起部上。

7.如权利要求2所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：

一平坦层，覆盖该薄膜晶体管；

一第一电极，设置于该平坦层上且与该薄膜晶体管的该漏极电性连接；以及

一像素定义层，设置于该平坦层与该第一电极上，且具有与部分的该第一电极重叠的一开口。

8.如权利要求7所述的主动元件基板，其特征在于，该平坦层覆盖该周边走线，而该像素定义层覆盖位于该周边走线上的该平坦层。

9.如权利要求7所述的主动元件基板，其特征在于，该平坦层的材料、该像素定义层的材料以及该有机绝缘图案的材料相同。

10.如权利要求2所述的主动元件基板，其特征在于，该无机绝缘层包括：

一第一绝缘层，覆盖该半导体图案；以及

一第二绝缘层，覆盖该栅极以及该第一绝缘层，其中该第一沟槽贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层；

其中该主动元件基板更包括一第三绝缘层，该第三绝缘层覆盖该周边走线与该第二绝缘层，该可挠基板具有一厚度H1及杨氏模数E1，该第一沟槽具有一深度H2，该有机绝缘图案具有杨氏模数E2，该第三绝缘层具有一厚度H3及杨氏模数E3，而H1·E1+H2·E2≤H3·E3。

11.如权利要求10所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：

一缓冲层，具有覆盖该可挠基板的该可弯折区的一薄部，其中该有机绝缘图案设置于该缓冲层的该薄部上，该缓冲层的该薄部具有一厚度H4及杨氏模数E4，而H1·E1+H2·E2+H4·E4≤H3·E3。

12.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，该有机绝缘图案具有多个凸起部，该些凸起部朝远离该可挠基板的一第一方向凸起，而该周边走线设置于该些凸起部上。