[发明专利]量子点及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点，其特征在于，包括III-V族量子点核和结合在所述III-V族量子点核表面的乙酰丙酮根离子和氢氧根离子；其中，所述乙酰丙酮根离子和氢氧根离子与所述III-V族量子点核表面的III族阳离子结合。

2.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述III-V族量子点核的材料选自GaP、GaN、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和InPGa中的至少一种；和/或

所述III族阳离子选自铟离子、镓离子和铝离子中的至少一种；和/或

所述乙酰丙酮根离子选自六氢乙酰丙酮根离子和六氟乙酰丙酮根离子中的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的量子点，其特征在于，所述量子点还包括一外壳层，所述外壳层材料为II-VI族半导体材料，所述外壳层包覆所述III-V族量子点核以及结合在所述III-V族量子点核表面的乙酰丙酮根离子和氢氧根离子。

4.如权利要求3所述的量子点，其特征在于，所述II-VI族半导体材料选自CdS、CdSe、CdO、CdTe、HgO、HgS、HgTe、HgSe、ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnO、MgSe、MgS、MgTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、MgZnSe和MgZnS中的至少一种；和/或

所述外壳层的厚度为3-5nm。

5.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种乙酰丙酮金属盐前驱体以及一种或多种金属氧化物前驱体和/或一种或多种金属氢氧化物前驱体；将所述III族阳离子前驱体和配体溶于溶剂中，在第一温度条件下进行加热处理，得到混合溶液；

将所述混合溶液继续升温至第二温度，然后向所述混合溶液中加入V族阴离子前驱体，进行成核反应，得到III-V族量子点核溶液。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述成核反应完成后，即刻将第二II族阳离子前驱体和VI族阴离子前驱体加入所述III-V族量子点核溶液中，在第三温度条件下进行外壳层生长，在III-V族量子点核表面形成II-VI族半导体外壳层，得到核壳量子点溶液。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物前驱体选自氧化铟、氧化铝和氧化镓中的至少一种；和/或

所述金属氢氧化物前驱体选自氢氧化镓、氢氧化铟和氢氧化铝中的至少一种；和/或

所述乙酰丙酮金属盐前驱体选自乙酰丙酮铟、六氟乙酰丙酮铟、乙酰丙酮镓、六氟乙酰丙酮镓、乙酰丙酮铝和六氟乙酰丙酮铝中的至少一种；和/或

所述V族阴离子前驱体选自三(三甲硅烷基)膦，三(三甲锗烷基)膦、三(二甲胺基)磷，三(二乙氨基)磷、三乙基膦、三丁基膦、三辛基膦、三苯基膦、三环己基膦、三(三甲硅烷基)砷、三(二甲胺基)砷，三(二乙氨基)砷、三乙基砷、三丁基砷、三辛基砷、三苯基砷、三环己基砷、氧化砷、氯化砷、溴化砷、碘化砷、硫化砷和氨气中的至少一种；和/或

所述配体选自油酸、C4-C20饱和脂肪酸、被C6-C22烷基取代的膦、被C6-C22烷基取代的氧膦、C6-C22伯胺、C6-C22仲胺和C6-C40叔胺中的至少一种；和/或

所述溶剂选自C6-C40脂族烃、C6-C30芳族烃、含氮杂环化合物、C12-C22芳族醚中的至少一种。