[发明专利]像素结构与显示器件在审
| 申请号: | 201811102786.2 | 申请日: | 2018-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN110429103A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
| 发明(设计)人: | 李哲;宋晶尧;付东;唐卫东 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾银凤 |
| 地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 滤光膜 黄色子像素 蓝色子像素 混合像素 蓝色像素 像素单元 像素结构 像素组 显示器件 红光 黄光 绿光 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括多个蓝色像素组、多个黄色像素组、第一滤光膜和第二滤光膜;
所述蓝色像素组由在纵向上排列的多个蓝色子像素构成,所述黄色像素组由在纵向上排列的多个黄色子像素构成,在横向上相邻的一个所述蓝色像素组和一个所述黄色像素组组成一个混合像素组,多个所述混合像素组在横向上排列,且在所述混合像素组中,每个所述蓝色子像素与两个所述黄色子像素相邻,该蓝色子像素与该两个黄色子像素组成一个像素单元;
每个所述像素单元中的一个所述黄色子像素的出光方向上设置有所述第一滤光膜,所述第一滤光膜用于将该黄色子像素发出的黄光转变为红光,每个所述像素单元中的另一个所述黄色子像素的出光方向上设置有所述第二滤光膜,所述第二滤光膜用于将该黄色子像素发出的黄光转变为绿光。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述黄色子像素发出的光的光谱中包括第一峰值和第二峰值,所述第一峰值位于490nm~550nm波段中,所述第二峰值位于590nm~650nm波段中。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素单元中,两个所述黄色子像素的面积均小于所述蓝色子像素的面积。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一滤光膜和所述第二滤光膜为色彩转换膜或光阻。
5.如权利要求1~4任一项所述的像素结构,其特征在于,所述蓝色像素组中相邻的两个所述蓝色子像素之间设置有第一像素界定层,所述黄色像素组中相邻的两个所述黄色子像素之间设置有第二像素界定层,所述蓝色像素组与所述黄色像素组之间设置有第三像素界定层,所述第一像素界定层和所述第二像素界定层的高度均低于所述第三像素界定层的高度。
6.如权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素界定层和所述第二像素界定层的高度为10nm~500nm,所述第三像素界定层的高度为500nm~1500nm。
7.如权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述蓝色子像素具有第一发光功能层,所述第一发光功能层的高度低于所述第三像素界定层的高度,所述黄色子像素具有第二发光功能层,所述第二发光功能层的高度低于所述第三像素界定层的高度。
8.如权利要求7所述的像素结构,其特征在于,所述第一发光功能层的高度高于所述第一像素界定层的高度;和/或,所述第二发光功能层的高度高于所述第二像素界定层的高度。
9.如权利要求7所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素界定层和所述第二像素界定层的表面呈亲液性;和/或,所述第三像素界定层的表面呈疏液性。
10.一种显示器件,其特征在于,包含如权利要求1~9任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





