[发明专利]沟槽形成方法、背照式图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽形成方法，其特征在于，包括：

提供一光罩，所述光罩上形成有第一沟槽图形和第二沟槽图形；

提供一衬底，在所述衬底上形成光阻层；

采用所述光罩，进行曝光及显影工艺，形成图形化的光阻层；以及，

以所述图形化的光阻层为掩膜，通过一次刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一沟槽和至少一个第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽形状相同且规则排列，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；在垂直于所述衬底表面的截面上，所述第二沟槽的截面宽度大于所述第一沟槽的截面宽度，和/或，所述第一沟槽的图形密度大于所述第二沟槽的图形密度。

2.如权利要求1所述的沟槽形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽垂直于所述衬底表面的截面形状为矩形、倒三角形或倒梯形。

3.如权利要求1所述的沟槽形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽平行于所述衬底表面的截面形状为矩形。

4.如权利要求1所述的沟槽形成方法，其特征在于，所述衬底是硅衬底，所述刻蚀是干法刻蚀，采用CF₄、C₄F₈和SF₆的混合气体。

5.一种背照式图像传感器制作方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1至4中任一项所述的沟槽形成方法在衬底背面形成第一沟槽和第二沟槽；

所述衬底上形成有若干像素单元区域，所述第一沟槽位于所述像素单元区域中，所述第二沟槽位于相邻的像素单元区域之间。

6.如权利要求5所述的背照式图像传感器制作方法，其特征在于，每个像素单元区域中形成有阵列分布的多个第一沟槽。

7.如权利要求5所述的背照式图像传感器制作方法，其特征在于，形成所述第一沟槽和第二沟槽之后，还包括：

形成填充层，所述填充层覆盖所述衬底背面并填充所述第一沟槽和第二沟槽；

形成滤色层，所述滤色层位于所述填充层上方，所述滤色层包括多个滤色单元；以及

形成透镜层，所述透镜层位于所述滤色层上方，所述透镜层包括多个微透镜；

其中，所述滤色单元、所述微透镜与所述像素单元在垂直于所述衬底的方向上一一对应。

8.如权利要求5所述的背照式图像传感器制作方法，其特征在于，还包括：

形成层间介质层和金属层，所述层间介质层覆盖所述衬底正面，所述金属层嵌设于所述层间介质层中。

9.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有若干像素单元区域，所述衬底背面形成有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽位于所述像素单元区域中，所述第二沟槽位于相邻的像素单元区域之间，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度。

10.如权利要求9所述的一种背照式图像传感器，其特征在于，还包括：

填充层，所述填充层覆盖所述衬底背面并填充所述第一沟槽和第二沟槽；

滤色层，所述滤色层位于所述填充层上方，所述滤色层包括多个滤色单元；

透镜层，所述透镜层位于所述滤色层上方，所述透镜层包括多个微透镜；以及

层间介质层和金属层，所述层间介质层覆盖所述衬底正面，所述金属层嵌设于所述层间介质层中。