[发明专利]数据存储器件及其制造方法

说明书

公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。

技术领域

发明构思总地涉及电子领域，更具体地，涉及一种数据存储器件以及制造该数据存储器件的方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子产业中是有益的。半导体器件当中的数据存储器件可以存储逻辑数据。数据存储器件已经随着电子产业的发展而越来越集成。结果，包括在数据存储器件中的部件的线宽度持续减小。

此外，随着数据存储器件的高集成，已经要求高可靠性。但是，高集成会降低数据存储器件的可靠性。因此，对于提高数据存储器件的可靠性已经进行了各种研究。

发明内容

本发明构思的一些实施方式提供了一种具有减少的工艺缺陷的数据存储器件以及制造该存储器件的方法。

本发明构思的一些实施方式提供了一种具有优良的可靠性的数据存储器件以及制造该数据存储器件的方法。

根据本发明构思的一些实施方式，制造数据存储器件的方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成于外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。

根据本发明构思的一些实施方式，制造数据存储器件的方法可以包括：提供包括第一区域和第二区域的基板；在基板的第一区域和第二区域上形成第一层间电介质层；在第一层间电介质层上形成数据存储层；在数据存储层的形成于第二区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在第一区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层以在第一区域上形成多个数据存储部分。在图案化数据存储层期间，可以蚀刻第一层间电介质层的上部，使得第一层间电介质层的可形成在第一区域上的第一部分具有在与第一层间电介质层的形成在第二区域上的第二部分的顶表面的水平不同的水平处的顶表面。

根据本发明构思的一些实施方式，数据存储器件可以包括：基板，包括单元区域和外围电路区域；单元区域上的存储晶体管和外围电路区域上的外围晶体管；层间电介质层，在存储晶体管和外围晶体管上；单元接触插塞，延伸穿过层间电介质层并电连接到存储晶体管；以及数据存储结构，在层间电介质层上并且连接到单元接触插塞。层间电介质层可以包括在单元区域上的第一顶表面、在外围电路区域上的第二顶表面以及在单元区域和外围电路区域之间将第一顶表面和第二顶表面彼此连接的侧壁。侧壁可以相对于基板的顶表面具有约35度至约90度的角度。

根据本发明构思的一些实施方式，制造数据存储器件的方法可以包括：形成在基板的第一区域和第二区域上延伸的数据存储层；在数据存储层的形成于基板的第二区域上的第一部分上形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；在基板的第一区域上的顶电极层上形成多个掩模图案；通过使用所述多个掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻顶电极层直到数据存储层的形成在第一区域上的第二部分和形成在第二区域上的掩模层被暴露而在第一区域上形成多个顶电极；以及通过使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模蚀刻数据存储层而在第一区域上形成多个数据存储元件。

附图说明

图1示出平面图，其示出根据本发明构思的一些实施方式的数据存储器件。