[发明专利]处理特征数据的系统、方法以及使用其的存储器控制系统有效
申请号: | 201811085087.1 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109521951B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 吴玄教;卢承京;卢慧悧;宋镇百;李东起;李熙元;林东厚 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 特征 数据 系统 方法 以及 使用 存储器 控制系统 | ||
一种特征数据预处理系统包括:数据获取设备,其收集包括根据第一默认读取电平定义的第一单元分布数据和根据第二默认读取电平定义的第二单元分布数据的特征数据;数据预处理装置,据根据剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数来生成训练数据,其中剪裁范围是根据第一默认电平和第二默认电平来定义的;以及数据库,其存储从数据预处理装置通信的训练数据。
相关交叉引用
本申请要求于2017年9月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0120657号的优先权,其主题通过引用并入文本
技术领域
本发明构思涉及用于处理特征(characteristic)数据的预处理系统、装置和方法以及使用其的存储器控制系统。
背景技术
闪速存储器设备包括存储器单元阵列,该存储器单元阵列包括多个块,多个块中的每一个包括页,并且页中的每一个包括非易失性存储器单元。
闪速存储器设备可以被分类为NAND闪速存储器设备和NOR闪速存储器设备。非易失性存储器单元包括浮置栅极。
在未被访问或刷新的情况下数据保持存储在闪速存储器单元中时,在构成的浮置栅极上的电荷逐渐丢失。在对于一个或多个闪速存储器单元的浮置栅极电荷的这种耗散中的某点处,分布特征将恶化到存储的数据状态变成错误或不连贯的程度。
也就是说,当恶化的(多个)阈值电压落到低于(多个)读取电压时,在读取操作期间将错误地解释从闪速存储器单元读取的数据的位值。因此,从闪速存储器单元取回的读取信息将包括一个或多个位错误。
因此,通过分析和补偿恶化的操作条件来调节(或校正)对于非易失性存储器单元的实际电压电平是重要的。为此,分析、识别和校正描述非易失性存储器单元的错误的特征数据是必要的。
发明内容
一方面,本发明构思提供了能够减少特征数据错误的特征数据预处理系统。另一方面,本发明构思提供了能够减少特征数据错误的特征数据预处理装置。又一方面,本发明构思的提供了减少特征数据错误的特征数据预处理方法。又一方面,本发明构思提供了通过减少特征数据错误来展示改进性能的存储器控制系统。
然而,本发明构思的各方面不限于本文中阐述这样。通过参考下面给出的本发明构思的详细描述,本发明构思的上述和其它方面对于本发明构思所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据本发明构思的一方面,提供了特征数据预处理系统,包括:数据获取设备,其收集包括根据第一默认读取电平定义的第一单元分布数据和根据第二默认读取电平定义的第二单元分布数据的特征数据;数据预处理装置,其根据剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数据以生成训练数据,其中根据第一默认电平和第二默认电平定义剪裁范围;以及数据库,其存储从数据预处理装置通信的训练数据。
根据本发明构思的另一方面,提供了特征数据预处理装置,包括:数据预处理系统,其接收使用第一分辨率从第一NAND闪速存储器导出的m个第一单元分布数据并且接收使用不同于第一分辨率的第二分辨率从第二NAND闪速存储器导出的m个第二单元分布数据,其中“m”是等于第一NAND闪速存储器和第二NAND闪速存储器中的每一个的读取位的数量的整数,其中数据预处理装置包括:平均上池化模块,其均衡第一分辨率和第二分辨率;以及数据合并模块,其根据m个剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数据以生成相应的训练数据。
根据本发明构思的另一方面,提供了存储器控制系统,包括:数据获取设备,其收集包括第一单元分布数据和第二单元分布数据的多个特征数据;数据预处理装置,其根据预先确定的剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数据以生成训练数据;数据库,包括训练数据;以及机器学习模型,其学习训练数据以导出控制系数。
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