[发明专利]一种复合内钝化层双沟槽结构大功率整流器件应用芯片

权利要求书

1.一种复合内钝化层双沟槽结构大功率整流器件应用芯片采用双沟槽钝化保护，沟槽侧面和底部钝化层采用纳米级的氧化膜以及多晶硅加氮化硅加特种玻璃组份材质的复合钝化膜。

2.根据权利要求1所述芯片，其特征在于：由中间层半导体本体及依附在中间层半导体本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层；所述上电极金属层位于芯片体双沟槽复合多层钝化区的中间上方，下电极金属层位于下掺杂层的外侧，上层掺杂层为P型掺杂层，下掺杂层为衬底N型掺杂层，在上下掺杂层表面电镀金属层。

3.根据权利要求1所述的双沟槽，其特征在于：双沟槽中间位置间距=4/5芯片台面宽度。

4.根据权利要求1所述的复合钝化膜，其特征在于：复合钝化膜依次层叠有纳米级微高纯度氧化层、多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃层双沟槽侧面和底部的钝化膜依次层叠有纳米级微高纯度氧化层、多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃层。

5.根据权利要求1所述芯片，其特征在于：结合碳化硅半导体材料，芯片结温可达到500℃以上。