[发明专利]触控模组器件的制造工艺

说明书

本发明提供了触控模组器件的制造工艺，包括：准备COP导电膜，并通过蚀刻COP导电膜得到TX线路；在COP导电膜的边缘区域印刷下层银浆，并通过曝光、显影下层银浆得到下线走线；在COP导电膜的导电侧贴合TCTF，并通过曝光、显影TCTF得到RX线路；在TCTF的边缘区域印刷上层银浆，并通过光刻上层银浆得到上线走线。先在COP导电膜上制作TX线路和下线走线，再在贴合于COP导电膜上的TCTF上制作RX线路和上线走线，且上线走线通过光刻工艺制作，避免曝光、显影上层银浆导致银浆残留于TCTF与下线走线之间的凹槽，从而避免出现短路现象。

技术领域

本发明属于触摸屏技术领域，更具体地说，是涉及触控模组器件的制造工艺。

背景技术

现有的On Cell(指将触摸屏嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间)触控模组器件的制造工艺通常采用以下两种方式：

1、下线走线光刻+上线走线光刻：下线走线采用光刻工艺，因光刻油墨(银胶油墨)印刷厚度在5-7um，印刷油墨与ITO膜面形成的高度差，再贴合厚度为5um的TCTF(Transparent Conductive Transfer Film，转印型透明导电薄膜)时，TCTF无法完全填充印刷油墨与ITO膜面之间的高度差，高度差容易出现气泡，显影时附着力不好，存在掉膜现象(即TCTF与下线走线、ITO膜面分离)；上线走线使用光刻工艺，需控制好激光能量、速度、频率等参数，否则容易出现激光击穿下线图层；

2、下线走线曝光+上线走线曝光：下线走线采用曝光工艺，曝光油墨(银胶油墨)印刷厚度在2-4um，TCTF可以有效的填充油墨与ITO膜之间的高度差现象，但在TCTF层上，做曝光银工艺，银胶在显影的时候容易出现显影不干净现象，部分银胶填充至下层线路，造成短路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种触控模组器件的制造工艺，以解决现有技术中存在的上线走线和下线走线均采用光刻工艺导致存在TCTF易掉膜，或上线走线和下线走线均采用曝光工艺导致存在显影不干净的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：触控模组器件的制造工艺，包括顺序进行的如下步骤：

准备COP导电膜，并通过蚀刻所述COP导电膜得到TX线路；

在所述COP导电膜的边缘区域印刷下层银浆，并通过曝光、显影所述下层银浆得到下线走线；

在所述COP导电膜的导电侧贴合TCTF，并通过曝光、显影所述TCTF得到RX线路；

在所述TCTF的边缘区域印刷上层银浆，并通过光刻所述上层银浆得到上线走线。

进一步地，准备所述COP导电膜，并通过蚀刻所述COP导电膜得到所述TX线路的步骤包括：

准备由COP基材上镀ITO导电膜形成的所述COP导电膜；

缩水处理所述COP导电膜；

在所述COP导电膜的导电侧贴合干膜；

对所述干膜进行曝光、显影，去除未硬化的所述干膜部分，硬化的所述干膜部分覆盖所述ITO导电膜的需要保留的部分；

对所述ITO导电膜进行蚀刻，蚀刻掉所述ITO导电膜的未被硬化的所述干膜部分覆盖的区域，保留的所述ITO导电膜即为所述TX线路；

剥离硬化的所述干膜部分，露出所述TX线路。

进一步地，通过曝光、显影所述下层银浆得到所述下线走线的步骤包括：

依次对所述下层银浆进行IR预烤、曝光、显影和固烤。

进一步地，所述下层银浆的厚度为2-4um。

进一步地，通过曝光、显影所述TCTF得到RX线路的步骤包括：