[发明专利]触控模组器件的制造工艺

权利要求书

1.触控模组器件的制造工艺，其特征在于，包括顺序进行的如下步骤：

准备COP导电膜，并通过蚀刻所述COP导电膜得到TX线路；

在所述COP导电膜的边缘区域印刷下层银浆，并通过曝光、显影所述下层银浆得到下线走线；

在所述COP导电膜的导电侧贴合TCTF，并通过曝光、显影所述TCTF得到RX线路；

在所述TCTF的边缘区域印刷上层银浆，并通过光刻所述上层银浆得到上线走线。

2.如权利要求1所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，准备所述COP导电膜，并通过蚀刻所述COP导电膜得到所述TX线路的步骤包括：

准备由COP基材上镀ITO导电膜形成的所述COP导电膜；

缩水处理所述COP导电膜；

在所述COP导电膜的导电侧贴合干膜；

对所述干膜进行曝光、显影，去除未硬化的所述干膜部分，硬化的所述干膜部分覆盖所述ITO导电膜的需要保留的部分；

对所述ITO导电膜进行蚀刻，蚀刻掉所述ITO导电膜的未被硬化的所述干膜部分覆盖的区域，保留的所述ITO导电膜即为所述TX线路；

剥离硬化的所述干膜部分，露出所述TX线路。

3.如权利要求1所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，通过曝光、显影所述下层银浆得到所述下线走线的步骤包括：

依次对所述下层银浆进行IR预烤、曝光、显影和固烤。

4.如权利要求3所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，所述下层银浆的厚度为2-4um。

5.如权利要求4所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，通过曝光、显影所述TCTF得到RX线路的步骤包括：

对所述TCTF进行一次曝光，形成RX线路；

撕除所述TCTF表面的离型膜，再对所述TCTF进行二次曝光；

对所述TCTF进行显影。

6.如权利要求5所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，在所述COP导电膜上贴合的所述TCTF的厚度为10±1um。

7.如权利要求6所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，通过光刻所述上层银浆得到上线走线的步骤包括：

固化所述上层银浆，并对固化的所述上层银浆进行光刻。

8.如权利要求7所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，所述上层银浆的厚度为4-6um。

9.如权利要求8所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，对固化的所述上层银浆进行光刻的速度为2700±300mm/s，能量为50±5％，频率为250±20KHZ，镭射次数为4±1。

10.如权利要求9所述的触控模组器件的制造工艺，其特征在于，对固化的所述上层银浆进行光刻的过程中：所述TCTF的旋转角度为0°。