[发明专利]可见及近红外光波段减反射膜及制造方法

权利要求书

1.可见及近红外光波段减反射膜，其特征在于：

包括在基板上从里到外依次设置第一层SiO₂层、第二层Ti₃O₅层、第三层SiO₂层、第四层Ti₃O₅层、第五层SiO₂层、第六层Ti₃O₅层、第七层SiO₂层、第八层Ti₃O₅层、第九层MgF₂层和第十层SiO₂层；

第一层SiO₂层、第二层Ti₃O₅层、第三层SiO₂层、第四层Ti₃O₅层、第五层SiO₂层、第六层Ti₃O₅层、第七层SiO₂层、第八层Ti₃O₅层、第九层MgF₂层和第十层SiO₂层的物理厚度依次为211.29、9.29、51.19、26.1、21.64、133.7、25.53、21.07、85.51和20nm；

基板为K9玻璃。

2.如权利要求1所述的可见及近红外光波段减反射膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、使用离子束辅助沉积真空镀膜技术在基板上依次镀制第一层SiO₂层、第二层Ti₃O₅层、第三层SiO₂层、第四层Ti₃O₅层、第五层SiO₂层、第六层Ti₃O₅层、第七层SiO₂层和第八层Ti₃O₅层；

2)、再使用不通氧气的离子束辅助沉积真空镀膜技术镀制第九层MgF₂层；

镀膜方法为：

将膜料MgF₂放入钼坩埚(1)中，盖上钼坩埚盖(2)，电子束通过钼坩埚盖(2)的导热来加热膜料MgF₂，经过加热膜料MgF₂生成MgF₂分子从钼坩埚盖(2)上的蒸发孔(21)溢出，并附着于基材上以形成镀膜；

3)、使用离子束辅助沉积真空镀膜技术镀制第十层SiO₂层。

3.根据权利要求2所述的可见及近红外光波段减反射膜的制造方法，其特征在于：

镀制第一层SiO₂层：控制沉积速率0.8nm/s、离子源电压900V、离子源电流900mA、离子源氧气50SCCM、离子源氩气8SCCM；

镀制第二层Ti₃O₅层：控制沉积速率0.2nm/s、离子源电压1200V、离子源电流1100mA、离子源氧气70SCCM、离子源氩气15SCCM；

镀制第三层SiO₂层：控制沉积速率0.8nm/s、离子源电压900V、离子源电流900mA、离子源氧气50SCCM、离子源氩气8SCCM；

镀制第四层Ti₃O₅层：控制沉积速率0.4nm/s、离子源电压1200V、离子源电流1100mA、离子源氧气70SCCM、离子源氩气15SCCM；

镀制第五层SiO₂层：控制沉积速率0.8nm/s、离子源电压900V、离子源电流900mA、离子源氧气50SCCM、离子源氩气8SCCM；

镀制第六层Ti₃O₅层：控制沉积速率0.4nm/s、离子源电压1200V、离子源电流1100mA、离子源氧气70SCCM、离子源氩气15SCCM；

镀制第七层SiO₂层：控制沉积速率0.8nm/s、离子源电压900V、离子源电流900mA、离子源氧气50SCCM、离子源氩气8SCCM；

镀制第八层Ti₃O₅层：控制沉积速率0.4nm/s、离子源电压1200V、离子源电流1100mA、离子源氧气70SCCM、离子源氩气15SCCM；

镀制第九层MgF₂层：控制沉积速率0.4nm/s、离子源电压200V、离子源电流600mA、离子源氩气40SCCM；

镀制第十层SiO₂层：控制沉积速率0.6nm/s、离子源电压900V、离子源电流900mA、离子源氧气50SCCM、离子源氩气8SCCM。