[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201811029582.0 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN109468609B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 小野大祐;神户优 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/34 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
本发明提供一种能够容易且正确地进行屏蔽构件与工件的间隔的设定的成膜装置。本发明具有:腔室(1),能够使内部为真空,并在上部具有能够开闭的盖体(1a);旋转平台(3),设于腔室(1)内,并以圆周的轨迹对工件(W)进行旋转搬运;成膜部(4a~4g),通过溅射而使成膜材料堆积于由旋转平台(3)搬运的工件(W)以进行成膜;屏蔽构件(9),在供工件(W)通过的一侧具有开口(91),形成供利用成膜部(4a~4g)进行成膜的成膜室(S);以及支撑部(P),对屏蔽构件(9)进行支撑,相对于腔室(1)为不动且独立于盖体(1a)。
技术领域
本发明涉及一种成膜装置。
背景技术
在半导体或显示器(display)或者光盘(optical disk)等各种产品的制造工序中,有时要在例如晶片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光学膜等薄膜。薄膜可通过对工件形成金属等的膜的成膜以及对所形成的膜反复进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理而制作。
成膜及膜处理可利用各种方法来进行,作为其一,有使用等离子体的方法。在成膜时,向配置有靶材(target)的真空容器即腔室内导入惰性气体,并对靶材施加直流电压。使等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞至靶材,使从靶材撞出的材料堆积于工件以进行成膜。在膜处理中,向配置有电极的腔室内导入工艺气体(process gas),对电极施加高频电压。使等离子体化的工艺气体的离子碰撞至工件上的膜,由此进行膜处理。
有一种成膜装置(例如参照专利文献1),其在一个腔室的内部安装有旋转平台(table),并在腔室的顶面配置有多个成膜部及膜处理部,以便能够连续地进行此种成膜与膜处理。由此,通过将工件保持于旋转平台上来搬运,并使其通过成膜部与膜处理部的正下方,从而可形成光学膜等。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利第4428873号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
在所述那样的成膜装置中,设有成膜部及膜处理部的腔室的顶面作为能够开闭的盖体的一部分来构成。即,成膜部及膜处理部与盖体一起拆装自如地设于腔室。并且,在腔室内与成膜部相对应的位置上,通过屏蔽构件而形成成膜室。成膜室是为了防止来自靶材的成膜材料飞散而附着于腔室内壁或防止导入的惰性气体流出等而设置。因此,屏蔽构件与设于腔室的盖体的靶材一起固定于腔室的盖体。并且,为了容许工件通过,屏蔽构件的缘部空开间隙而接近工件。为了极力减少成膜材料或惰性气体的泄漏,优选尽可能地减少屏蔽构件与工件之间的间隙。例如,以屏蔽构件的缘部与工件之间形成数mm程度的间隙的方式设定。
然而,在腔室抽真空时,因大气压,盖体以向下方下沉的方式挠曲。于是,设于盖体的屏蔽构件与工件之间的间隔发生变化。因此,需要预先对屏蔽构件的高度进行调整,以便在关闭盖体进行了抽真空时屏蔽构件不接触工件而使间隙得以维持。但是,难以预想安装于盖体的屏蔽构件在关闭了盖体时相对于工件处于怎样的位置来进行调整。
而且,成膜装置因同时对多个半导体进行处理或对大型的显示器进行处理等要求而整体的尺寸大型化。例如,有时腔室的直径成为1m以上。此种腔室的盖体为了抑制自身重量导致的挠曲而需要形成得比较厚,所以重量增加。此时,为了抑制成膜材料的附着带来的膜的应力导致的应变或溅射时的热变形,需要也对屏蔽构件进行加厚以提高刚性。因此,腔室的上部的重量进一步增加。
将像这样增加了重量的屏蔽构件安装于腔室的盖体的作业无法由一个作业员来进行,而需要多个人员。而且,例如所述作业必须由作业员进入腔室内来进行,非常花费功夫。并且,在盖体及屏蔽构件重的情况下,频繁地反复从腔室拆装盖体来调整屏蔽构件与工件之间的间隔会变得更难。
本发明的目的在于提供一种可容易且正确地进行屏蔽构件与工件的间隔的设定的成膜装置。
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