[发明专利]一种外延层接长方法有效
| 申请号： | 201811022366.3 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390438B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张雷城;展望;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人： | 杨植 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 层接长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延层接长方法，其特征在于，步骤如下：
S1、将MQW层生长中断或MQW层之后生长中断的外延片在N2、H2和NH3的混合氛围中，其中，各气体流量不大于200L/min，N2、H2和NH3三者的气体流量比例如下：N2占比范围10%~30%之间，H2占比范围30%~50%之间，NH3占比范围25%~45%之间；升温至1100℃~1200℃之间，升温时间在4~20分钟之间；维持1100℃~1200℃高温条件，MQW层生长中断或MQW层之后生长中断的外延片进行高温处理，MQW层或MQW层之后生长中断的外延片发生解附效应，将之前的MQW层以及MQW层之后的外延层烘烤掉；
S2、再进入4~20分钟的高温n型GaN生长阶段；
S3、重新进入正常条件的MQW生长阶段直至外延层生长结束；
所述的MQW层为势阱InGaN和势垒GaN。
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