[发明专利]一种共晶LED的制造方法

说明书

本发明涉及一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：S1涂覆共晶焊料；S2一次焊接；S3点助焊剂；S4安装LED；S5二次焊接。本发明提供的共晶LED的制造方法，通过在安装LED芯片之前对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料分布于呈腔体结构的共晶焊料位的每个角落，排空共晶焊料位内部的所有空气，减小空洞率，通过在安装LED芯片之后对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料浸润LED芯片与焊盘之间的间隙，进一步减小空洞率，提供LED的可靠性。

技术领域

本发明涉及一种LED封装技术领域，尤其涉及一种共晶LED芯片的制造方法。

背景技术

现有LED的共晶安装过程一般均包括在基板上涂覆共晶焊料、固晶以及焊接等步骤，其中，固晶前，共晶焊料呈球状涂敷于基板上，固晶时，LED芯片会压迫共晶焊料，导致共晶焊料溢出，仅留下焊盘腔体内部的共晶焊料实现导电，然而，由于共晶焊料为共晶粉末加助焊剂混合形成膏体材料，共晶焊料在达到共晶点温度时，共晶焊料熔化浸润晶片与支架焊盘，熔化的共晶焊料颗粒在表面张力的作用下凝聚在一起，排出共晶焊料内部的空气和助焊剂，焊盘腔体内的共晶焊料体积缩小，无法填满整个腔体而造成空洞。

由于LED芯片的电及位置再晶片底部，晶片四周为蓝宝石材料，只有阻焊特性，溢出的共晶焊料熔化后，由于无法浸润蓝宝石而变成锡珠留在LED芯片的四周。

如此一来，LED芯片与焊盘之间，通过具有空洞的共晶焊料实现电连接，连接的稳定性差，导电的电阻大，不能满足市场需求，因此有必要提出一种新型的制造方法，解决以上问题。

本发明提出一种共晶LED的制造方法，在共晶前对共晶焊料进行真空固化，填充空洞率，提高共晶LED的可靠性。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种共晶LED的制造方法，在共晶前对共晶焊料进行真空固化，填充空洞率，提高共晶LED的可靠性。

为了解决上述技术问题，本发明提出一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：

S1涂覆共晶焊料：将共晶焊料涂覆于基板上，得到待焊基板；

S2一次焊接：将步骤S1得到的待焊基板在真空环境中进行一次焊接，得到固化后的待焊基板；

S3点助焊剂：将助焊剂涂覆于共晶焊料的上，得到待安装LED的基板；

S4安装LED：将LED芯片安装于待安装LED的基板上，得到待成形LED；

S5二次焊接：将待成形LED在真空环境下进行二次焊接，使得助焊剂从LED芯片与共晶焊料之间排出，得到成型的LED。

优选地，在S2步骤中，一次焊接的真空压力为4-6pa，温度为220-240℃，时间为9-11s。

优选地，在S2步骤中，一次焊接的真空压力为5pa，温度为230℃，时间为10s。

优选地，包括：在S5步骤中，二次焊接的真空压力为4-6pa，温度为220-240℃，时间为9-11s。

优选地，在S5步骤中，二次焊接的真空压力为5pa，温度为230℃，时间为10s。

优选地，在S1步骤中，所述待焊基板上设有至少一个LED芯片安装位，一个LED芯片安装位包括两个共晶焊料位，分别为第一共晶焊料位和第二共晶焊料位；

共晶焊料位于所述共晶焊料位内部。

优选地，S4步骤中，LED芯片上设有正电极和负电极，所述正电极与位于所述第一共晶焊料位处的共晶焊料相接触，所述负电极与位于所述第二共晶焊料位处的共晶焊料相接触。

优选地，在S1步骤中，采用钢网模板印刷工艺方式，将共晶焊料涂覆于基板上。