[发明专利]一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构及制作方法有效
| 申请号： | 201811018286.0 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390445B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;武玫;郝跃;王瑜;马佩军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 转移 技术 导热 gan 外延 结构 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：
S1.选取衬底，所述衬底依次包括第一Si层、SiO2牺牲层和第二Si层；
S2.采用MOCVD在SOI衬底的第二Si层上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层以及AlGaN势垒层；
S3.在AlGaN势垒层上淀积厚度为20～50nm Si3N4介质层，然后采用MWCVD工艺，在Si3N4介质层上生长多晶的金刚石，金刚石的厚度为100～150um，Si3N4介质层和金刚石共同组成金刚石层；
S41.对所述第一Si层进行光刻，得到刻蚀通道光刻区域；
S42.使用ICP氟基条件刻蚀所述刻蚀通道光刻区域对应的所述第一Si层，直到SiO2牺牲层表面，得到刻蚀通道；
S43.氢氟酸浸泡S42步骤得到的样品，以使SiO2牺牲层被腐蚀，所述第二Si层与所述第一Si层分离，其中氢氟酸浓度为10％-20％；
S44.使用ICP氟基条件刻蚀去除所述第二Si层；
S45.去除所述AlN成核层，并对所述GaN缓冲层刻蚀，以使所述GaN缓冲层保留30～50nm作为GaN层；
S5.抛光所述GaN层的表面，得到N面GaN外延结构。
2.一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构，其特征在于，所述高导热N面GaN外延结构由权利要求1所述的方法制备形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
