[发明专利]半导体器件和制造方法

说明书

在半导体衬底上面的介电材料内形成开口。该开口可以包括通孔部分和沟槽部分。在制造工艺期间，可以将处理化学物质放置为与暴露表面接触以释放积聚在表面上的电荷。通过释放电荷，减小了表面变化电位差，有助于防止进一步制造期间产生的电化学腐蚀。本发明的实施例还涉及半导体器件和制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件和制造方法。

背景技术

半导体器件用于诸如例如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻和蚀刻工艺图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区域。然而，随着最小部件尺寸的减小，在使用的每个工艺内出现了额外的问题，应该解决这些额外的问题。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在第一介电层内形成开口以暴露第一导电区域和第二导电区域；以及减小所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的表面电位差。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在低k介电层内形成第一通孔开口；在所述低k介电层内形成第一沟槽开口，其中，形成所述第一沟槽开口将所述第一通孔开口延伸穿过所述低k介电层；在所述第一通孔开口和所述第一沟槽开口内施加处理化学物质，其中，所述处理化学物质释放所述第一通孔开口和所述第一沟槽开口内的表面电荷。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方沉积低k介电层；在所述低k介电层中形成第一开口；在形成所述第一开口之后实施衬垫去除工艺；施加第一处理化学物质，所述第一处理化学物质是挥发性的且具有低电导率；用与所述第一处理化学物质不同的第一清洁液清洁所述第一开口，清洁所述第一开口在去除所述第一处理化学物质之后实施；在清洁所述第一开口之后，冲洗所述第一开口；以及用导电材料填充所述第一开口。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的通孔开口的形成。

图2示出了根据一些实施例的沟槽开口的形成。

图3示出了根据一些实施例的第一处理化学物质的施加。

图4示出了根据一些实施例的清洁液的施加。

图5示出了根据一些实施例的通孔开口和沟槽开口的填充。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。