[发明专利]一种工业硅破碎装置及其破碎方法

说明书

本发明公开了工业硅破碎技术领域的一种工业硅破碎装置及其破碎方法，该工业硅破碎装置包括冲击式破碎主机，该工业硅破碎装置的破碎方法包括如下步骤：S1：设定初始值；S2：二次破碎；S3：恢复原料破碎；通过在破碎主机的外壁设置冷却水管和温度传感器，驱动电机处安装散热风扇，对破碎主机工作时的温度进行监测，在其温度过高时，开启冷却装置对其进行有效的降温，使其能够长时间连续工作，同时降低了破碎主机的故障发生率，破碎后直径小的工业硅颗粒可经摇摆筛筛分出去，直径较大的颗粒，会自动输送至破碎主机进行二次粉碎，整个过程自动化程度高，无需人工干预，进料出料口处均设有皮带输送机，适合连续性生产。

技术领域

本发明涉及工业硅破碎技术领域，具体为一种工业硅破碎装置及其破碎方法。

背景技术

工业硅又称之为“金属硅”是上世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体行业的兴起有关，国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅，金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右，其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。是以多晶、单晶形态出售，前者价廉，后者价昂。因其用途不同而划分为多种规格。据统计，1985年全世界共消耗金属硅约50万吨，其中用于铝合金的金属硅约占60%，用于有机硅的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。工业硅在进一步的加工前需要将其破碎，由于金属硅是一种质硬易碎的物料，在破碎过程中不易有效的控制，破碎颗粒大小不一，造成产品浪费大，生产成本高，产品粒径不达标，且常见的破碎装置，没有设置专门的冷却系统，长时间运转时温度过高，容易致使机器发生故障，缩短其使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种工业硅破碎装置及其破碎方法，以解决上述背景技术中提出的金属硅是一种质硬易碎的物料，在破碎过程中不易有效的控制，破碎颗粒大小不一，造成产品浪费大，生产成本高，产品粒径不达标，且常见的破碎装置，没有设置专门的冷却系统，长时间运转时温度过高，容易致使机器发生故障，缩短使用寿命的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种工业硅破碎装置，包括冲击式破碎主机、第一皮带输送机、摇摆筛和第二皮带输送机，所述第一皮带输送机的左端出料口位于冲击式破碎主机的进料口上侧，所述摇摆筛的顶部与冲击式破碎主机的底部出料口连接，所述第二皮带输送机的左端位于摇摆筛的细料出料口下侧，所述冲击式破碎主机的表面顶部安装有温度传感器，所述冲击式破碎主机的外壁套接有冷却水管，所述冲击式破碎主机的底部外壁焊接有支架，所述支架的顶部从右至左依次安装有风扇、破碎机驱动电机和水泵，所述破碎机驱动电机与冲击式破碎主机的主轴通过皮带传动连接，所述水泵的左侧与冷却水管连接，所述支架的右侧安装有控制装置，所述支架的左侧焊接有安装架，所述安装架的顶部安装有真空吸料机，所述第一皮带输送机的前表面左侧安装有电机，所述电机的后侧输出轴通过联轴器与第一皮带输送机的驱动辊筒轴连接，所述摇摆筛的左侧连接有储料桶，所述真空吸料机的左侧通过吸料管与储料桶连接，所述真空吸料机的右侧通过出料管与冲击式破碎主机的进料口连接，所述储料桶的内腔设有称重板，所述储料桶的内腔底部安装有称重传感器，且称重传感器的顶部与称重板的底部接触，所述称重传感器和温度传感器均通过信号线与控制装置的信号输入端连接，所述控制装置分别与破碎机驱动电机、水泵、真空吸料机和电机电性连接。

优选的，所述控制装置包括控制面板、触摸屏、PLC控制器和变频器，所述触摸屏嵌入在控制面板的表面顶部，所述PLC控制器和变频器嵌入在控制面板的表面底部，且PLC控制器位于变频器的左侧，所述PLC控制器分别与触摸屏和变频器电性连接。

优选的，所述真空吸料机为单体式真空吸料机，所述真空吸料机的外壁均匀设有散热鳍片。

优选的，所述真空吸料机为单体式真空吸料机，所述真空吸料机的外壁均匀设有散热鳍片。

一种工业硅破碎装置的破碎方法，该工业硅破碎装置的破碎方法包括如下步骤：