[发明专利]用于驱动晶体管器件的方法、驱动电路和电子电路

权利要求书

1.一种用于驱动晶体管器件的方法，包括：

基于驱动信号驱动所述晶体管器件，使得所述晶体管器件在所述驱动信号具有导通电平时在导通状态下被驱动，并且在所述驱动信号具有关断电平时在关断状态下被驱动，

其中，在所述关断状态下驱动所述晶体管器件包括：

在所述驱动信号从所述导通电平变为所述关断电平之后，在第一关断状态下操作所述晶体管器件，其中，在所述第一关断状态下驱动所述晶体管器件包括以第一驱动电压驱动所述晶体管器件，

在所述第一关断状态之后，在与所述第一关断状态不同的第二关断状态下操作所述晶体管器件，其中，在所述第二关断状态下驱动所述晶体管器件包括以第二驱动电压驱动所述晶体管器件，所述第二驱动电压与所述第一驱动电压不同，并且

在所述第二关断状态之后，响应于所述驱动信号的关断电平持续比预定的最大时间段长，在与所述第二关断状态不同的第三关断状态下操作所述晶体管器件，其中，在所述第三关断状态下驱动所述晶体管器件包括以第三驱动电压驱动所述晶体管器件，所述第三驱动电压与所述第二驱动电压不同，

其中，所述晶体管器件的阈值电压与所述第一驱动电压之间的差值大于所述阈值电压与所述第二驱动电压之间的差值，以及

其中，所述晶体管器件的阈值电压与所述第三驱动电压之间的差值大于所述阈值电压与所述第二驱动电压之间的差值。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述第一关断状态下操作所述晶体管器件包括在所述第一关断状态下操作所述晶体管器件达预定的第一时间段。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二驱动电压为零。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中，在所述导通状态下驱动所述晶体管器件包括将具有电压源和RC电路的串联电路连接在所述晶体管器件的控制节点和第一负载节点之间，

其中，在所述第一关断状态下操作所述晶体管器件包括将所述RC电路连接在所述晶体管器件的所述控制节点和所述第一负载节点之间，以及

其中，在所述第二关断状态下操作所述晶体管器件包括连接所述晶体管器件的所述控制节点和所述第一负载节点。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第三关断状态下操作所述晶体管器件包括将所述电压源连接在所述控制节点和所述第一负载节点之间，使得处于所述导通状态的驱动电压和处于所述第三关断状态的驱动电压具有相反的极性。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述晶体管器件是高电子迁移率晶体管。

7.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在包括所述晶体管器件和电子开关的电子电路中，在多个连续的驱动周期中操作所述电子开关，使得在每个驱动周期中，所述电子开关在导通状态下工作并且在所述导通状态之后在关断状态下工作，并且操作所述晶体管器件使得所述电子开关和所述晶体管器件交替地在导通状态下工作。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述电子开关的导通状态与所述晶体管器件的导通状态之间的第一死区时间内以及在所述晶体管器件的导通状态与所述电子开关的导通状态之间的第二死区时间内，操作所述晶体管器件，

其中，所述预定的第一时间段的持续时间选自所述第二死区时间的持续时间的1.1倍至2倍之间。

9.根据权利要求7所述的方法，

其中，操作所述电子开关包括以选自最小开关频率和最大开关频率之间的开关频率来操作所述电子开关，以及

其中，所述最大时间段的持续时间大于所述最小开关频率的倒数。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述最大时间段的持续时间比所述最小开关频率的倒数大3倍或5倍。