[发明专利]双向高维持电流ESD防护器件有效

专利信息
申请号: 201810972685.4 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN109103184B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 乔明;肖家木;齐钊;梁龙飞;何林蓉;梁旦业;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/06
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢;葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 双向 维持 电流 esd 防护 器件
【权利要求书】:

1.一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于包括:P型衬底(00)、位于P型衬底(00)上方左侧的第一NWELL区(101)、位于第一NWELL区(101)内部上方的第一N+接触区(111)、位于第一NWELL区(101)内部上方的第一P+接触区(211)、位于第一NWELL区(101)内部上方的第一隔离区(011)、位于第一NWELL区(101)内部第一N型埋层(131);其中,第一P+接触区(211)位于第一N+接触区(111)右侧,第一隔离区(011)位于第一P+接触区(211)右侧,第一N型埋层(131)位于第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)、第一隔离区(011)下方且与第一N+接触区(111)、第一隔离区(011)相切;位于P型衬底上方右侧的第二NWELL区(102)、位于第二NWELL区(102)内部上方的第二N+接触区(112)、位于第二NWELL区(102)内部上方的第二P+接触区(212)、位于第二NWELL区(102)内部上方的第二隔离区(012)、位于第二NWELL区(102)内部第二N型埋层(132);其中,第二P+接触区(212)位于第二N+接触区(112)左侧,第二隔离区(012)位于第二P+接触区(212)左侧,第二N型埋层(132)位于第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)、第二隔离区(012)下方且与第二N+接触区(112)、第二隔离区(012)相切;第一N+接触区(111)与第一P+接触区(211)通过金属短接形成金属阳极(31);第二N+接触区、第二P+接触区通过金属短接形成金属阴极(32);第一隔离区(011)为N+重掺杂区或STI区,第二隔离区(012)为N+重掺杂区或STI区。

2.根据权利要求1所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一NWELL区(101)与第二NWELL区(102)中间设有PWELL区(20)。

3.根据权利要求2所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一NWELL区(101)与PWELL区(20)之间设有第一低触发区(021),且第一低触发区(021)一部分在第一NWELL区(101)内、一部分在PWELL区(20)内;第二NWELL区(102)与PWELL区(20)之间设有第二低触发区(022),且第二低触发区(022)一部分在第二NWELL区(102)内、一部分在PWELL区(20)内。

4.根据权利要求3所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一低触发区(021)的掺杂类型是P型,或N型;第二低触发区(022)的掺杂类型是P型,或N型。

5.根据权利要求3所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:PWELL区(20)上表面设有栅氧化层(030),且栅氧化层(030)左边与第一低触发区(021)相切、右边与第二低触发区(022)相切,栅氧化层(030)上设有多晶硅或金属栅极(040)。

6.根据权利要求5所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一NWELL区(101)上表面设有第一栅氧化层(031),且第一栅氧化层(031)左边与第一隔离区(011)相切、右边与第一低触发区(021)相切,第一栅氧化层(031)上设有第一多晶硅或金属栅极(041);第二NWELL区(102)上表面设有第二栅氧化层(032),且第二栅氧化层(032)左边与第二低触发区(022)相切、右边与第二隔离区(012)相切,第二栅氧化层(032)上设有第二多晶硅或金属栅极(042)。

7.根据权利要求1所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一NWELL区(101)内部上表面设有第一NTOP层(141);第二NWELL区(102)内部上表面设有第二NTOP层(142);P型衬底上表面设有PTOP层(24)。

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