[发明专利]双向高维持电流ESD防护器件有效
申请号: | 201810972685.4 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109103184B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 乔明;肖家木;齐钊;梁龙飞;何林蓉;梁旦业;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双向 维持 电流 esd 防护 器件 | ||
1.一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于包括:P型衬底(00)、位于P型衬底(00)上方左侧的第一NWELL区(101)、位于第一NWELL区(101)内部上方的第一N+接触区(111)、位于第一NWELL区(101)内部上方的第一P+接触区(211)、位于第一NWELL区(101)内部上方的第一隔离区(011)、位于第一NWELL区(101)内部第一N型埋层(131);其中,第一P+接触区(211)位于第一N+接触区(111)右侧,第一隔离区(011)位于第一P+接触区(211)右侧,第一N型埋层(131)位于第一N+接触区(111)、第一P+接触区(211)、第一隔离区(011)下方且与第一N+接触区(111)、第一隔离区(011)相切;位于P型衬底上方右侧的第二NWELL区(102)、位于第二NWELL区(102)内部上方的第二N+接触区(112)、位于第二NWELL区(102)内部上方的第二P+接触区(212)、位于第二NWELL区(102)内部上方的第二隔离区(012)、位于第二NWELL区(102)内部第二N型埋层(132);其中,第二P+接触区(212)位于第二N+接触区(112)左侧,第二隔离区(012)位于第二P+接触区(212)左侧,第二N型埋层(132)位于第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)、第二隔离区(012)下方且与第二N+接触区(112)、第二隔离区(012)相切;第一N+接触区(111)与第一P+接触区(211)通过金属短接形成金属阳极(31);第二N+接触区、第二P+接触区通过金属短接形成金属阴极(32);第一隔离区(011)为N+重掺杂区或STI区,第二隔离区(012)为N+重掺杂区或STI区。
2.根据权利要求1所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一NWELL区(101)与第二NWELL区(102)中间设有PWELL区(20)。
3.根据权利要求2所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一NWELL区(101)与PWELL区(20)之间设有第一低触发区(021),且第一低触发区(021)一部分在第一NWELL区(101)内、一部分在PWELL区(20)内;第二NWELL区(102)与PWELL区(20)之间设有第二低触发区(022),且第二低触发区(022)一部分在第二NWELL区(102)内、一部分在PWELL区(20)内。
4.根据权利要求3所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一低触发区(021)的掺杂类型是P型,或N型;第二低触发区(022)的掺杂类型是P型,或N型。
5.根据权利要求3所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:PWELL区(20)上表面设有栅氧化层(030),且栅氧化层(030)左边与第一低触发区(021)相切、右边与第二低触发区(022)相切,栅氧化层(030)上设有多晶硅或金属栅极(040)。
6.根据权利要求5所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一NWELL区(101)上表面设有第一栅氧化层(031),且第一栅氧化层(031)左边与第一隔离区(011)相切、右边与第一低触发区(021)相切,第一栅氧化层(031)上设有第一多晶硅或金属栅极(041);第二NWELL区(102)上表面设有第二栅氧化层(032),且第二栅氧化层(032)左边与第二低触发区(022)相切、右边与第二隔离区(012)相切,第二栅氧化层(032)上设有第二多晶硅或金属栅极(042)。
7.根据权利要求1所述的一种双向高维持电流ESD防护器件,其特征在于:第一NWELL区(101)内部上表面设有第一NTOP层(141);第二NWELL区(102)内部上表面设有第二NTOP层(142);P型衬底上表面设有PTOP层(24)。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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