[发明专利]高维持电流ESD防护器件有效
| 申请号： | 201810971515.4 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109119416B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 乔明;肖家木;齐钊;梁龙飞;何林蓉;梁旦业;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 维持 电流 esd 防护 器件 | ||
1.一种高维持电流ESD防护器件，其特征在于包括：P型衬底(00)、位于P型衬底00上方的第一N型外延层(01)、位于第一N型外延层(01)内部上方左侧的第一PWELL区(201)、位于第一PWELL区(201)内部上方的第一P+接触区(21)、位于第一PWELL区(201)内部上方的第一N+接触区(11)；其中，第一P+接触区(21)位于第一N+接触区(11)左侧；位于第一N型外延层(01)内部上方右侧的第二PWELL区(202)、位于第二PWELL区(202)内部上方的第二P+接触区(22)；位于第一N型外延层(01)上方且不与第一PWELL区(201)及第二PWELL区(202)相接触的第二N+接触区(12)；第一N+接触区(11)与第一P+接触区(21)通过金属短接形成金属阴极(31)；第二P+接触区(22)与第二N+接触区(12)通过金属短接形成阳极(32)。
2.根据权利要求1所述的一种高维持电流ESD防护器件，其特征在于：第一PWELL区(201)与第二PWELL区(202)中间设有NWELL区(10)，第二N+接触区(12)位于NWELL区(10)内部上方。
3.根据权利要求2所述的一种高维持电流ESD防护器件，其特征在于：第二PWELL区(202)内部上方设有TOP区(23)。
4.根据权利要求3所述的一种高维持电流ESD防护器件，其特征在于：TOP区(23)为P型掺杂，或N型掺杂。
5.根据权利要求3所述的一种高维持电流ESD防护器件，其特征在于：第一PWELL区(201)右侧与NWELL区(10)左侧相切处设有触发区(14)，且触发区(14)一部分位于第一PWELL区(201)内，一部分位于NWELL区(10)内。
6.根据权利要求5所述的一种高维持电流ESD防护器件，其特征在于：触发区(14)为P型掺杂，或N型掺杂。
7.根据权利要求3所述的一种高维持电流ESD防护器件，其特征在于：第一N+接触区(11)与第二N+接触区(12)之间的上表面设有氧化层(03)，且氧化层(03)左边与第一N+接触区(11)相切且右边与第二N+接触区(12)相切；在氧化层(03)上表面设有多晶硅或金属栅极(04)。
8.根据权利要求1～7任意一项所述的一种高维持电流ESD防护器件，其特征在于：所述器件中各掺杂类型相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时N型掺杂变为P型掺杂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
