[发明专利]无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层；

对所述多个膜层进行图案化处理，以得到若干第一结构和包围所有所述第一结构的第二结构，其中，各个所述第一结构为相互独立的岛状结构，所述第二结构为环绕所有所述第一结构的坝状结构，所述第二结构用于进行封装，所述第一结构用于形成无机发光二极管；

将显示面板的阵列基板设置于所述膜层远离所述生长基板的一侧；其中，所述阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的薄膜晶体管和信号线；

通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装。

2.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层的步骤包括：

在所述生长基板上依次生长N型扩展层、量子阱层和P型扩展层。

3.根据权利要求2所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装的步骤之后，所述方法还包括：

去除所述生长基板；

在所述N型扩展层远离所述阵列基板的一侧制作所述无机发光二极管的N电极。

4.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在制作所述无机发光二极管的N电极的步骤之后，所述方法还包括：

在所述无机发光二极管的N电极远离所述阵列基板的一侧，制作波长转换层。

5.根据权利要求4所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，制作波长转换层的步骤包括：

制作若干波长转换单元，其中，所述波长转换层包括第一波长转换单元、第二波长转换单元和第三波长转换单元，不同的所述波长转换单元将所述无机发光二极管产生的光的波长转换为不同波长，每个所述波长转换单元在所述阵列基板上的正投影至少覆盖一个所述无机发光二极管在所述阵列基板上的正投影；

在相邻的所述波长转换单元之间制作遮光单元。

6.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，制作所述无机发光二极管的N电极的步骤包括：

制作一层透明薄膜导电材料，以使各所述无机发光二极管具有公共N电极。

7.根据权利要求2所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在对所述多个膜层进行图案化处理的步骤之后，所述方法还包括：

在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极。

8.根据权利要求7所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极的步骤包括：

在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作P电极层；

对所述P电极层进行图案化处理，以在所述第一结构的P型扩展层表面形成所述P电极，且所述P电极相对所述第一结构的P型扩展层形成台阶结构；

所述方法还包括：在所述P电极远离所述生长基板的一侧制作保护层,对所述保护层进行图案化处理，以至少暴露部分所述P电极。

9.根据权利要求7所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，

在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极的步骤之后，所述方法还包括：在所述P电极上制作导电触点；

将显示面板的阵列基板设置于所述膜层远离所述生长基板的一侧的步骤之后，所述方法还包括：将所述阵列基板上的第一电极与所述导电触点一一对应电连接。

10.根据权利要求9所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，将所述阵列基板上的第一电极与所述导电触点一一对应电连接的步骤包括：

通过热压的方式，将所述阵列基板上的第一电极与所述导电触点一一对应电连接。