[发明专利]具有空穴阻挡层的有机电致发光器件在审

专利信息
申请号: 201810963511.1 申请日: 2018-08-22
公开(公告)号: CN110857296A 公开(公告)日: 2020-03-03
发明(设计)人: 李轶文;邢其锋;吴俊宇;邵爽 申请(专利权)人: 固安鼎材科技有限公司
主分类号: C07D409/04 分类号: C07D409/04;C07D409/14;C07D409/10;C07F7/08;C07D471/04;C07D421/14;C07D405/14;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 11493 代理人: 崔永华
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 具有 空穴 阻挡 有机 电致发光 器件
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件,包含阴极、电子传输层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、和阳极,所述空穴阻挡层包含一种或多种式(I)所示的化合物:

其中,L1、L2和L3分别独立地选自单键、C1-C12的亚烷基、C1-C8的亚烷氧基、C6-C30的取代或者未取代的亚芳基、C5-C30的取代或者未取代的含氮亚杂芳基;

Ar1、Ar2和Ar3分别独立地选自C6-C30的取代或者未取代的芳基、C5-C30的取代或者未取代的杂芳基,Ar1可以取代于它连接的苯环的任意取代位点,

当L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3中的任意一个或几个具有取代基时,所述取代基独立地选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基、C6-C30的芳基、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6-C30的芳基;

X选自O、S或Se。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,式(I)所示的化合物的HOMO>5.6eV,LUMO<2.9eV,T1能级>2.5eV。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,所述空穴阻挡层的厚度为0.3nm~20nm,优选为0.5nm~10nm,更优选为5nm~10nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,式(I)中,L1、L2和L3分别独立地选自单键、或者选自可以具有取代基的亚苯基、亚联苯基、亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基中的基团或者这些基团的任意组合,作为上述取代基,选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基、C6-C20的芳基、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6-C20的芳基。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,式(I)中,L1和L2为单键,L3选自单键或者以下基团,其中划过芳香环的虚线表示该芳香环的可成键位置可作为连接位点:

6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,式(I)中,L1和L2为单键,L3选自单键或者以下基团,其中划过芳香环的虚线表示该芳香环的可成键位置可作为连接位点:

7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,式(I)中,Ar1、Ar2和Ar3分别独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、菲咯啉基、二苯并噻咯以及以上基团的任意组合,优选Ar1选自三联苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、喹喔啉基、异喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、二苯并噻咯基、菲咯啉基以及以上基团的任意组合。

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