[发明专利]具有空穴阻挡层的有机电致发光器件在审
申请号: | 201810963511.1 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN110857296A | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 李轶文;邢其锋;吴俊宇;邵爽 | 申请(专利权)人: | 固安鼎材科技有限公司 |
主分类号: | C07D409/04 | 分类号: | C07D409/04;C07D409/14;C07D409/10;C07F7/08;C07D471/04;C07D421/14;C07D405/14;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 11493 | 代理人: | 崔永华 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 空穴 阻挡 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种有机电致发光器件,包含阴极、电子传输层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、和阳极,所述空穴阻挡层包含一种或多种式(I)所示的化合物:
其中,L1、L2和L3分别独立地选自单键、C1-C12的亚烷基、C1-C8的亚烷氧基、C6-C30的取代或者未取代的亚芳基、C5-C30的取代或者未取代的含氮亚杂芳基;
Ar1、Ar2和Ar3分别独立地选自C6-C30的取代或者未取代的芳基、C5-C30的取代或者未取代的杂芳基,Ar1可以取代于它连接的苯环的任意取代位点,
当L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3中的任意一个或几个具有取代基时,所述取代基独立地选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基、C6-C30的芳基、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6-C30的芳基;
X选自O、S或Se。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,式(I)所示的化合物的HOMO>5.6eV,LUMO<2.9eV,T1能级>2.5eV。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,所述空穴阻挡层的厚度为0.3nm~20nm,优选为0.5nm~10nm,更优选为5nm~10nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,式(I)中,L1、L2和L3分别独立地选自单键、或者选自可以具有取代基的亚苯基、亚联苯基、亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基中的基团或者这些基团的任意组合,作为上述取代基,选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基、C6-C20的芳基、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6-C20的芳基。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,式(I)中,L1和L2为单键,L3选自单键或者以下基团,其中划过芳香环的虚线表示该芳香环的可成键位置可作为连接位点:
6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,式(I)中,L1和L2为单键,L3选自单键或者以下基团,其中划过芳香环的虚线表示该芳香环的可成键位置可作为连接位点:
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,式(I)中,Ar1、Ar2和Ar3分别独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、菲咯啉基、二苯并噻咯以及以上基团的任意组合,优选Ar1选自三联苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、喹喔啉基、异喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、二苯并噻咯基、菲咯啉基以及以上基团的任意组合。
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