[发明专利]一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法

说明书

本发明公开了一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法。该Nand型快闪存储器包括存储单元和感测放大器，感测放大器的高压管的第一端和预充电电容的第一端电连接，高压管的第二端以及存储单元的第一端与位线电连接，预充电电容的第二端接地，存储单元的第二端与源极线电连接。Nand型快闪存储器的漏电测试方法包括：在Nand型快闪存储器的擦除验证阶段，比较高压管的第一端的稳定电压与参考电压的大小；根据比较结果判断高压管是否漏电。本发明通过复用擦除验证过程进行高压管漏电测试，使高压管两端加载的电压差比较大，可以有效地检测感测放大器中的高压管的漏电情况，从而提高了Nand型快闪存储器的可靠性。

技术领域

本发明实施例涉及Nand型快闪存储器的技术领域，尤其涉及一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法。

背景技术

Nand型快闪存储器是一种非易失存储器，它通过对存储单元进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中。随着Nand型快闪存储器的大量使用，对其可靠性的要求也在不断提高。

在Nand型快闪存储器工作时，感测放大器中的高压管的状态直接影响Nand型快闪存储器的可靠性。当高压管存在漏电状况时，存储单元中的数据无法长期保持，在存储单元进行读、写或擦除操作时，可能出现错误，从而降低了Nand型快闪存储器的可靠性。

发明内容

本发明提供一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法，以实现有效地检测感测放大器中的高压管的漏电情况，从而提高了Nand flash存储器的可靠性。

本发明实施例提供了一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法，所述Nand型快闪存储器包括存储单元和感测放大器，所述感测放大器包括高压管和预充电电容，所述高压管的第一端和所述预充电电容的第一端电连接，所述高压管的第二端以及所述存储单元的第一端与位线电连接，所述预充电电容的第二端接地，所述存储单元的第二端与源极线电连接；所述Nand型快闪存储器的漏电测试方法包括：

在所述Nand型快闪存储器的擦除验证阶段，比较所述高压管的第一端的稳定电压与参考电压的大小；

根据比较结果判断所述高压管是否漏电。

具体地，所述根据比较结果判断所述高压管是否漏电，包括：

若确定所述高压管的第一端的稳定电压大于参考电压，则判定所述高压管漏电。

具体地，所述感测放大器还包括放大模块，所述放大模块包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端接所述参考电压，所述第二输入端与所述高压管的第一端电连接；

所述确定所述高压管的第一端的稳定电压大于参考电压，包括：

在进入所述擦除验证阶段时等待一预设时间；

读取所述放大模块的输出端输出的逻辑值；

若所述逻辑值为0，则确定所述高压管的第一端的稳定电压大于参考电压。

具体地，所述根据比较结果判断所述高压管是否漏电，还包括：

若所述逻辑值为1，则判定所述高压管不漏电。

具体地，所述Nand型快闪存储器的擦除验证包括：

将所述源极线的电压抬高至电源电压，其中，所述电源电压大于4V；

控制所述高压管关断且控制所述存储单元打开；

通过所述感测放大器内部的偏压将所述预充电电容放电到0。