[发明专利]一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法有效
申请号: | 201810940068.6 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN110838335B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 洪杰;马思博 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C29/50 | 分类号: | G11C29/50 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nand 闪存 漏电 测试 方法 | ||
1.一种Nand型快闪存储器的漏电测试方法,所述Nand型快闪存储器包括存储单元和感测放大器,所述感测放大器包括高压管和预充电电容,所述高压管的第一端和所述预充电电容的第一端电连接,所述高压管的第二端以及所述存储单元的第一端与位线电连接,所述预充电电容的第二端接地,所述存储单元的第二端与源极线电连接;其特征在于,所述Nand型快闪存储器的漏电测试方法包括:
在所述Nand型快闪存储器的擦除验证阶段,比较所述高压管的第一端的稳定电压与参考电压的大小;
根据比较结果判断所述高压管是否漏电;
所述Nand型快闪存储器的擦除验证包括:
将所述源极线的电压抬高至电源电压,其中,所述电源电压大于4V;
控制所述高压管关断且控制所述存储单元打开;
通过所述感测放大器内部的偏压将所述预充电电容放电到0;
所述参考电压作为判断所述高压管是否漏电的参考值,包括:
所述参考电压应大于所述高压管未漏电时所述预充电电容的初始电压且小于所述高压管漏电时所述预充电电容的最终电压;当放大器的电源输入端输入单向电源时,所述参考电压等于所述高压管未漏电时所述预充电电容的初始电压。
2.根据权利要求1所述的Nand型快闪存储器的漏电测试方法,其特征在于,所述根据比较结果判断所述高压管是否漏电,包括:
若确定所述高压管的第一端的稳定电压大于参考电压,则判定所述高压管漏电。
3.根据权利要求2所述的Nand型快闪存储器的漏电测试方法,其特征在于,所述感测放大器还包括放大模块,所述放大模块包括第一输入端、第二输入端和输出端,所述第一输入端接所述参考电压,所述第二输入端与所述高压管的第一端电连接;
所述确定所述高压管的第一端的稳定电压大于参考电压,包括:
在进入所述擦除验证阶段时等待一预设时间;
读取所述放大模块的输出端输出的逻辑值;
若所述逻辑值为0,则确定所述高压管的第一端的稳定电压大于参考电压。
4.根据权利要求3所述的Nand型快闪存储器的漏电测试方法,其特征在于,所述根据比较结果判断所述高压管是否漏电,还包括:
若所述逻辑值为1,则判定所述高压管不漏电。
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