[发明专利]清洁液供应单元、基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201810934866.8 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN109411389B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 赵旼熙;刘在赫;吴世勋;金兑根;延蕊林;吴海琳;郑址洙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 供应 单元 处理 装置 方法 | ||
公开涉及一种用于将清洁液供应到基板的装置。清洁液供应单元包括:混合容器,在其内部具有液体混合空间;第一供应构件,其被构造成将第一液体供应到液体混合空间中;第二供应构件,其被构造成将不同于第一液体的第二液体供应到液体混合空间中;以及混合构件,其被构造成将供应到液体混合空间中的第一液体和第二液体进行混合,并且混合构件可包括:循环管线,供在液体混合空间中的液体循环;和压力调节构件,其被构造成向液体提供压力,使得液体混合空间中的液体流入循环管线中,并且被构造成调节压力。
技术领域
本文描述的发明构思的实施例涉及一种用于将清洁液供应到基板的装置。
背景技术
基板表面上的诸如颗粒、有机污染物和金属污染物的污染物极大地影响半导体器件的特性和产率。因此,去除附着到基板表面上的各种污染物的清洁工艺非常重要,并且在制造半导体的单元工艺之前和之后执行清洁基板的工艺。通常,清洁基板的工艺包括通过使用诸如清洁液的处理液去除驻留在基板上的金属物质、有机物质和颗粒的清洁液处理工艺;通过使用纯水去除驻留在基板上的清洁液的清洗过程;以及使用有机溶剂、超临界流体或氮气干燥基板的干燥工艺。
当通过混合表面活性剂化学品和纯水来制造清洁液时,在清洁液中形成颗粒。产生的颗粒使得在清洁基板时容易去除颗粒。
图1是示意性地示出一般清洁液供应单元30的视图。参考图1,清洁液供应单元30制造用于上述清洁液处理工艺的清洁液,并且将清洁液供应到基板。清洁液供应单元30将含有表面活性剂的表面活性剂化学品和纯水混合以制造清洁液。通常,清洁液供应单元30将表面活性剂化学品和纯水供应到容器31,并且通过循环管线33使表面活性剂化学品和纯水32在容器31中循环来混合表面活性剂化学品和纯水。混合的清洁液通过喷嘴34供应到基板。
通常,提供使表面活性剂化学品和纯水循环到循环管线33中的压力的泵35是波纹管型泵,通过其难以调节压力和维持均匀的压力,并且没有提供用于测量循环管线中的压力的配置。因此,不能调节循环管线33中的压力。
此外,当考虑装置的占地面积时,循环管线33的长度受到限制。
发明内容
本发明构思的实施例提供了用于调节循环管线中的压力的装置和方法。
本发明构思的实施例还提供了用于在有限距离内延长循环管线的长度的装置和方法。
本发明构思的实施例还提供了用于增大清洁液中的颗粒尺寸的装置和方法。
本发明构思要解决的问题不限于上述问题,并且本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中将清楚地理解未提及的问题。
本发明构思提供了一种清洁液供应单元,用于供应清洁基板的清洁液。该清洁液供应单元包括:混合容器,在其内部具有液体混合空间;第一供应构件,其被构造成将第一液体供应到液体混合空间中;第二供应构件,其被构造成将不同于第一液体的第二液体供应到液体混合空间中;以及混合构件,其被构造成将供应到液体混合空间中的第一液体和第二液体混合,并且混合构件可以包括循环管线,供在液体混合空间中的液体循环;和压力调节构件,其被构造成向液体提供压力,使得液体混合空间中的液体流入循环管线中,并且被构造成调节该压力。
压力调节构件可包括叶轮型泵。
压力调节构件可包括:泵,其被构造成向液体提供压力;以及调节器,其被构造成调节循环管线的开度。
循环管线可以包括管延伸部,该管延伸部在有限距离内延长管的长度。
管延伸部可具有线圈形状。
由管延伸部延长的管的长度可以不小于15m且不大于20m。
混合构件还可以包括:压力传感器,其被构造成测量循环管线中的压力;以及控制器,其被构造成基于压力传感器的测量值来控制压力调节构件以调节循环管线中的压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造