[发明专利]一种宽相变温区定形相变材料及其制备方法

权利要求书

1.一种宽相变温区定形相变材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供掺杂聚苯乙烯磺酸钠的碳酸钙颗粒和纳米胶囊相变材料；

以掺杂聚苯乙烯磺酸钠的碳酸钙颗粒为模板，在所述模板上分别沉积阳离子电解质和阴离子电解质，通过阳离子电解质和阴离子电解质的组装在模板表面形成第一囊壳，所述第一囊壳包覆所述模板，然后将带有第一囊壳的模板分散于第一纳米胶囊相变材料的溶液中，孵化，通过静电的引力作用和氢键的作用在所述模板的第一囊壳上组装形成第一纳米胶囊相变材料层，得到第一预制体；

在所述第一预制体上沉积阳离子电解质和阴离子电解质，通过阳离子电解质和阴离子电解质的组装在所述第一预制体表面形成第二囊壳，所述第二囊壳包覆所述第一预制体，然后将带有第二囊壳的第一预制体分散于第二纳米胶囊相变材料的溶液中，孵化，通过静电的引力作用和氢键的作用在所述第一预制体的第二囊壳上组装形成第二纳米胶囊相变材料层，得到第二预制体，所述第一纳米胶囊相变材料层与所述第二纳米胶囊相变材料层的相变材料芯材不同；

去除所述第二预制体中的所述模板，得到宽相变温区定形相变材料。

2.根据权利要求1所述的宽相变温区定形相变材料的制备方法，其特征在于，还包括在第二预制体上组装至少一囊壳和至少一纳米胶囊相变材料层，所述囊壳和所述纳米胶囊相变材料层间隔组装。

3.根据权利要求1所述的宽相变温区定形相变材料的制备方法，其特征在于，所述阳离子电解质、所述阴离子电解质与所述模板的质量比为1:1～6:1。

4.根据权利要求1所述的宽相变温区定形相变材料的制备方法，其特征在于，所述阳离子电解质包括聚丙烯胺盐酸盐。

5.根据权利要求1所述的宽相变温区定形相变材料的制备方法，其特征在于，所述阴离子电解质包括聚苯乙烯磺酸钠。

6.根据权利要求1所述的宽相变温区定形相变材料的制备方法，其特征在于，所述孵化的时间均为8h～24h。

7.根据权利要求1所述的宽相变温区定形相变材料的制备方法，其特征在于，纳米胶囊相变材料的粒径为50nm～300nm。

8.根据权利要求1所述的宽相变温区定形相变材料的制备方法，其特征在于，采用乙二胺四乙酸溶液去除所述模板。

9.一种如权利要求1～8任一项所述制备方法得到的宽相变温区定形相变材料，其特征在于，所述宽相变温区定形相变材料为层层包覆的中空的球形结构，由内至外依次包括第一囊壳、第一纳米胶囊相变材料层、第二囊壳和第二纳米胶囊相变材料层，所述第一纳米胶囊相变材料层与所述第二纳米胶囊相变材料层的相变材料芯材不同。

10.根据权利要求9所述的宽相变温区定形相变材料，其特征在于，在第二纳米胶囊相变材料层背离第二囊壳的表面上还包覆有至少一囊壳和至少一纳米胶囊相变材料层，所述囊壳和所述纳米胶囊相变材料层相互间隔。