[发明专利]原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法有效
申请号: | 201810916176.X | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN109065738B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 郑直;刘启;陈璐;雷岩;杨晓刚;齐瑞娟 | 申请(专利权)人: | 许昌学院 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 乔宇 |
地址: | 461000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 合成 结晶度 掺杂 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
1.一种基于铜铅合金合成高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的化学方法,其特征在于:在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜,在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料,所述的铜铅合金薄膜的厚度在10~200nm范围内,所述的铜铅合金铜所占的质量百分比在1%~5%内,反应湿度范围40%~55%。
2.根据权利要求1所述的化学方法,其特征在于:基底材料为ITO导电玻璃。
3.根据权利要求1所述的化学方法,其特征在于:铜铅合金成膜方法为磁控溅射。
4.根据权利要求1所述的化学方法,其特征在于:所述的碘化钾胺溶液中碘化钾胺的浓度在2~20mg/mL范围内。
5.根据权利要求1所述的化学方法,其特征在于:使用的反应容器为耐有机溶剂材质的容器。
6.根据权利要求1所述的化学方法,其特征在于:反应温度为室温25±5℃。
7.根据权利要求1所述的化学方法,其特征在于:旋涂转速范围为2000rpm/min~5000rpm/min。
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