[发明专利]一种建立OPC模型的方法以及光学邻近修正方法

说明书

本发明提供一种建立OPC模型的方法以及光学邻近修正方法，包括：提供位于掩模版上的光掩膜图形和初始的OPC模型，其中，所述光掩膜图形包括主图形和位于主图形外侧的次分辨率辅助图形，所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数建立；通过所述主图形与高斯函数之间的卷积来描述主图形负载效应，以获得主图形负载函数；通过所述次分辨率辅助图形与高斯函数之间的卷积来描述所述次分辨率辅助图形负载效应，以获得次分辨率辅助图形负载函数；在所述初始的OPC模型中加入所述主图形负载函数和所述次分辨率辅助图形负载函数，以获得最终的OPC模型。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种建立OPC模型的方法以及光学邻近修正方法。

背景技术

当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。光学邻近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)是目前在半导体先进制造技术中广泛采用的一种解析增强技术，光学邻近修正技术是在找到图形失真量与图形本身特性的关系基础上，运用物理和数学相结合的模型来拟合这一关系，随后基于该模型对涉及版图所有各种图形进行全面的修改，以保证在曝光之后的半导体衬底上形成符合设计要求的图形。

光学邻近校正(OPC)将计算出的偏差(bias)添加到主图形，以最大化晶圆上图案的保真度。而基于模型的OPC操作依赖于精确的OPC模型，通常该模型通过优化模型形式的拟合系数来构建，并且好的构建模型应该对图形上的所有测量点(Gauge)具有小的均方根(RMS)。然而目前常用的模型只考虑光强度，这对于正性显影(positive tonedevelopment，简称PTD)过程可能是足够的，然而对于负性显影(Negative tonedevelopment，简称NTD)过程由于其具有显著的非光学效应，例如物理光阻收缩，光阻显影负载(resist development loading)和次分辨率辅助图形(SRAF)诱导效应等，该些效应不能通过单纯的只考虑光强度的模型来修正，因此，有必要提出一种建立OPC模型的新方法，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明一方面提供一种建立OPC模型的方法，包括：

提供位于掩模版上的光掩膜图形和初始的OPC模型，其中，所述光掩膜图形包括主图形和位于主图形外侧的次分辨率辅助图形，所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数建立；

通过所述主图形与高斯函数之间的卷积来描述主图形负载效应，以获得主图形负载函数；

通过所述次分辨率辅助图形与高斯函数之间的卷积来描述所述次分辨率辅助图形负载效应，以获得次分辨率辅助图形负载函数；

在所述初始的OPC模型中加入所述主图形负载函数和所述次分辨率辅助图形负载函数，以获得最终的OPC模型。

示例性地，所述初始的OPC模型是光强度分布的函数，其中，初始的OPC模型包括背景光强度分布函数、光强梯度函数、光强曲率函数、光碱分布函数、光酸分布函数。

示例性地，所述初始的OPC模型的方程式为：