[发明专利]一种建立OPC模型的方法以及光学邻近修正方法有效

专利信息
申请号: 201810890982.4 申请日: 2018-08-07
公开(公告)号: CN110824829B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 杜杳隽 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;G03F7/20
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟;翟海青
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 建立 opc 模型 方法 以及 光学 邻近 修正
【权利要求书】:

1.一种建立OPC模型的方法,其特征在于,包括:

提供位于掩模版上的光掩膜图形和初始的OPC模型,其中,所述光掩膜图形包括主图形和位于主图形外侧的次分辨率辅助图形,所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数建立,所述初始的OPC模型是主图形成像的光强度的分布函数;

通过所述主图形与高斯函数之间的卷积来描述主图形负载效应,以获得主图形负载函数;

通过所述次分辨率辅助图形与高斯函数之间的卷积来描述所述次分辨率辅助图形负载效应,以获得次分辨率辅助图形负载函数;

在所述初始的OPC模型中加入所述主图形负载函数和所述次分辨率辅助图形负载函数,以获得最终的OPC模型。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,初始的OPC模型包括背景光强度分布函数、光强梯度函数、光强曲率函数、光碱分布函数、光酸分布函数。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述初始的OPC模型的方程式为:

其中,T为光阻的印刷阈值,用于确定主图形轮廓的几何形状,c0至c15表示方程式中每一项的系数,为卷积运算符号,I为背景光强度分布函数,▽I为光强梯度函数,▽2I为光强曲率函数,I-b为光碱分布函数,I+b为光酸分布函数,Gs3至Gs15为半峰宽不同的高斯函数。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,主图形负载效应函数的方程式为:

其中,P(x,y)是主图形,取值{0,1},(x,y)表示光掩膜图形中测量点的坐标,如果(x,y)∈主图形的区域范围内,则P(x,y)取值为1,如果主图形的区域范围内,则P(x,y)取值为0,为卷积运算符号,Gs16为高斯函数。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述次分辨率辅助图形负载函数为:

其中,R(x,y)是次分辨率辅助图形,取值{0,1},(x,y)表示光掩膜图形中测量点的坐标,如果(x,y)∈次分辨率辅助图形的区域范围内,则P(x,y)取值为1,如果(x,y)次分辨率辅助图形的区域范围内,则R(x,y)取值为1,为卷积运算符号,Gs17为高斯函数。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述次分辨率辅助图形用于提高所述主图形的分辨率,而所述次分辨率辅助图形不会转印至衬底。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述最终的OPC模型适用于负性光阻的光刻过程。

8.一种基于如权利要求1至7之一的方法建立的OPC模型的光学邻近修正方法。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810890982.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top