[发明专利]电解镀敷装置及电解镀敷方法有效

专利信息
申请号: 201810886865.0 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN110306231B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 庄子史人;右田达夫;村野仁彦 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: C25D17/02 分类号: C25D17/02;C25D17/00;C25D7/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电解 装置 方法
【说明书】:

发明的一方式提供一种可将密封部件与接触部件配置在最佳场所,且可个别地调整密封部件与接触部件的按压的电解镀敷装置及电解镀敷方法。实施方式的电解镀敷装置具备:镀敷槽,能填充镀敷液;密封部件,配置在被处理衬底的被处理面的周缘部,在将被处理衬底浸渍于镀敷槽时,将镀敷液密封在被处理面的中央侧;以及接触部件,与密封部件独立地设置,在比密封部件更靠被处理衬底的周缘部侧进行对被处理面的电导通;且密封部件赋予被处理衬底的按压力、与接触部件赋予被处理衬底的按压力能分别独立地调整。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种电解镀敷装置及电解镀敷方法。

背景技术

在半导体装置用的电解镀敷装置中,需要应对各种材料的衬底。作为具体的衬底材料,例如考虑有硅、玻璃、化合物半导体等。此外,也有对贴合多个衬底的衬底进行镀敷的状况。

在电解镀敷装置中,为了将半导体衬底浸渍于镀敷槽,需要设置密封部件,以使镀敷液不会浸入多余的部位。通常是将密封部件配置在经图案化的抗蚀剂层之上,并使接地电位用接触部件接触低电阻的金属晶种层。

然而,密封部件的按压最佳值会根据抗蚀剂的材料、膜厚、图案开口率即接触面积而大幅变化。若密封部件的按压过高,则有晶片粘在密封部件上,导致晶片裂开的可能。此外,若接触部件的按压过高,则有半导体衬底出现缺口、或产生龟裂的可能。

电解镀敷装置中的密封部件及接触部件大多是以一体成形的构造体形式提供,难以个别地控制密封部件与接触部件的压力。

此外,作为进行镀敷的对象的半导体衬底即晶片若边缘被切去,则接触部件接触晶片的边缘部分时,有无法充分确保接触面积的可能。如此,若密封部件与接触部件一体成形,则无法将密封部件及接触部件分别配置在独立的场所,因此密封部件与接触部件的配置场所产生限制。

发明内容

本发明的一方式提供一种可将密封部件与接触部件配置在最佳场所、且可个别地调整密封部件与接触部件的按压的电解镀敷装置及电解镀敷方法。

根据本实施方式,提供一种电解镀敷装置,具备:镀敷槽,能填充镀敷液;

密封部件,配置在被处理衬底的被处理面的周缘部,在将所述被处理衬底浸渍于所述镀敷槽时,将所述镀敷液密封在所述被处理面的中央侧;以及

接触部件,与所述密封部件独立地设置,在比所述密封部件更靠所述被处理衬底的周缘部侧进行对所述被处理面的电导通;且

所述密封部件赋予所述被处理衬底的按压力、与所述接触部件赋予所述被处理衬底的按压力能分别独立地调整。

附图说明

图1是表示一实施方式的电解镀敷装置的主要部分的剖视图。

图2是表示被处理衬底支持部的详细构造的图。

图3是表示使接触部件接触支持衬底的与被处理面为相反侧的面的一个例子的图。

图4是表示使接触部件接触支持衬底的被处理面的一个例子的图。

图5是从被处理面侧观察被处理衬底支持部的俯视图。

图6是表示无支持衬底而对被处理衬底进行镀敷处理时的密封部件与接触部件的接触方式的一例的图。

具体实施方式

以下,参照附图对本发明的一实施方式进行说明。另外,本件说明书添附的附图中,为了便于图示及理解,适当地将比例尺及纵横尺寸比等,从实物进行变更而予以夸张描绘。

而且,关于本说明书中使用的特定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”、“相同”等用语、长度、角度的值等,并不限制为严格的含义,应包含能获得相同功能的程度的范围而进行理解。

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