[发明专利]晶体振子及其制造方法

说明书

本发明提供一种晶体振子及其制造方法，可使晶体阻抗改善的具有新型的台面构造。晶体振子包含AT切割晶体片(10)。所述晶体片中，平面形状为长方形状，并且使一部分为厚壁部。所述晶体片中，当观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部(10a)、第一凹部(10b)、厚壁部(10e)、第二凹部(10c)及第二端部(10d)。第一凹部是从厚壁部以规定角度(θa)下降至第一端部侧然后上升而与第一端部连接的凹部。第二凹部是从厚壁部以规定角度(θb)下降至第二端部侧然后上升而与第二端部连接的凹部。

技术领域

本发明涉及一种使用AT切割晶体片的晶体振子及其制造方法。

背景技术

随着AT切割晶体振子的小型化发展，在利用机械式加工的制造方法中，晶体振子用的晶体片的制造变得困难。因此，已开发出利用光刻(photolithography)技术及湿式蚀刻(wet etching)技术来制造的AT切割晶体片。

例如在专利文献1中，公开了一种使用通过所述技术而制造的AT切割晶体片的晶体振子。具体来说，在专利文献1的段落0053及图6中，公开了一种与晶体的X轴交叉的侧面(X面)之中，+X侧的侧面由六个面构成，-X侧的侧面由两个面构成，并且使所述晶体振子的一部分为厚壁部(台面(mesa)状)的晶体振子。据说根据所述晶体振子，可以实现晶体阻抗(crystal impedance，CI)值低，频率温度特性经改善的晶体振子(专利文献1的段落0008)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开2014-27505号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

专利文献1的晶体振子是包括厚壁部、与所述厚壁部连接的倾斜部、及与所述倾斜部连接的薄壁部的台面构造的晶体振子。倾斜部有+X侧的倾斜部(专利文献1的图6(b)的结晶面133)及-X侧的倾斜部(所述图6(b)的倾斜面23)两个。

而且，+X侧的倾斜部的倾斜面与厚壁部的主面的法线所成的角度记载为约27°(专利文献1的段落57第4行～第5行)。因此，+X侧的倾斜部朝向薄壁部以约63°的角度倾斜。并且，-X侧的倾斜部的结晶面与厚壁部的主面的法线所成的角度记载为约55°(专利文献1的段落55第2行～第3行)。因此，-X侧的倾斜部朝向薄壁部以约35°的角度倾斜。并且，在专利文献1的情况，如专利文献1的图8所述，使用形成厚壁部的专用的耐蚀刻性掩模(mask)。

针对所述现有技术，期望出现厚壁部与薄壁部的连接部分的其它优选构造。并且，期望出现能够省略形成厚壁部的专用的耐蚀刻性掩模的制作方法。

本申请是鉴于如上所述的方面而完成的，因此，本申请的目的在于提供一种可使CI改善的具有新型台面构造的晶体振子及适合于其制造的方法。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，根据本申请的晶体振子的发明，是如下的晶体振子，其包括平面形状为长方形状并且一部分成为厚壁部的AT切割晶体片，所述晶体振子的特征在于：

所述晶体片中，当观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部、第一凹部、所述厚壁部、第二凹部及第二端部，

所述第一凹部是从所述厚壁部以规定角度θa下降至第一端部侧然后上升而与所述第一端部连接的凹部，

所述第二凹部是从所述厚壁部以规定角度θb下降至第二端部侧然后上升而与所述第二端部连接的凹部。