[发明专利]晶体振子及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体振子，包括平面形状为长方形状并且使一部分为厚壁部的AT切割晶体片，所述晶体振子的特征在于：

所述晶体片中，当观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部、第一凹部、所述厚壁部、第二凹部及第二端部，

所述第一凹部是从所述厚壁部以规定角度θa下降至第一端部侧然后上升而与所述第一端部连接的凹部，

所述第二凹部是从所述厚壁部以规定角度θb下降至第二端部侧然后上升而与所述第二端部连接的凹部。

2.根据权利要求1所述的晶体振子，其特征在于：所述晶体片是长边与晶体的X轴平行，短边与晶体的Z'轴平行，所述第一端部位于+X侧。

3.根据权利要求1所述的晶体振子，其特征在于：所述晶体片是长边与晶体的X轴平行，短边与晶体的Z'轴平行，所述第一端部位于+X侧，所述角度θa为6°±2°，所述角度θb为16°±2°。

4.一种晶体振子的制造方法，其特征在于：

晶体振子包括平面形状为长方形状并且使一部分为厚壁部的AT切割晶体片，当对所述晶体片观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部、第一凹部、所述厚壁部、第二凹部及第二端部，所述第一凹部是从所述厚壁部以规定角度θa下降至所述第一端部侧然后上升而与所述第一端部连接的凹部，所述第二凹部是从所述厚壁部以规定角度θb下降至所述第二端部侧然后上升而与所述第二端部连接的凹部，当制作所述晶体振子时，包括如下的工序：

准备用于制造多个所述晶体片的晶体晶片；

在所述晶体晶片的表面与背面上，形成耐湿式蚀刻性掩模，所述耐湿式蚀刻性掩模是用于形成所述晶体片的外形，并且在与所述第一凹部及第二凹部分别相对应的一部分区域内形成具有开口的耐湿式蚀刻性掩模，所述开口不贯通所述晶体晶片，但是可以使湿式蚀刻液渗入至能够对所述晶体晶片进行所需量蚀刻的程度；以及

将形成有所述耐湿式蚀刻性掩模的晶体晶片浸渍于湿式蚀刻液中规定时间。

5.根据权利要求4所述的晶体振子的制造方法，其特征在于进而包括如下的工序：

在浸渍于所述湿式蚀刻液中规定时间的工序之后，去除所述耐湿式蚀刻性掩模；以及

将去除所述耐湿式蚀刻性掩模后的晶体晶片，浸渍于湿式蚀刻液中规定时间。